可逆极性解码器电路及相关方法技术

本发明专利技术揭示一种可逆极性解码器电路，其尤其适合于实施多头解码器结构，例如，可用于对字线进行解码，且尤其可用于３Ｄ存储器阵列中。所述解码器电路将过驱动电压偏压提供到半选定字线驱动器电路的栅极以将半选定字线稳固地维持在非有效电平。如果在击穿电压下或接近所述击穿电压偏置所述存储器阵列，则此过驱动电压可大于解码器晶体管的击穿电压。然而，在所描述的实施例中，对于所述解码器电路的任一操作极性而言，所述解码器电路在不在所述解码器晶体管中的任一者上外加大于所述击穿电压的电压的情况下实现此目的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及解码器电路，且确切地说涉及适合于可编程存储器阵列的解码器电路， 且更确切地说涉及适合于并入有无源元件存储器单元的半导体集成电路存储器阵列的 解码器电路。
技术介绍
特定无源元件存储器单元展示出可重写特性。举例而言，在特定存储器单元中，可 通过用大约6到8V的电压将存储器单元正向偏置(例如，参考其中的二极管的极性) 而实现编程，而可通过用大约10到14V的电压将存储器单元反向偏置而实现擦除。这 些高电压需要使用字线及位线解码器内的特殊高电压CMOS晶体管。这些高电压晶体管 并不随着存储器单元字线间距及位线间距减小而良好地縮放。这对于3D存储器技术尤 其有问题，在3D存储器技术中，退出阵列的字线及位线(且其必须与字线及位线驱动 器介接)的绝对密度使提供与更小的阵列线间距兼容但能够在选定存储器单元上外加足 够高的电压的解码器电路的能力甚至更重要。此正向设定/反向重设存储器阵列需要可能超过高电压晶体管的击穿电压(即， BVDSS)的电压，所述高电压晶体管有效地配合在存储器阵列的旁边，且其可用于实施 所述解码器电路。此存储器阵列也需要具有双重极性输出的(即，对于一个模式为低态 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作解码器电路的方法，所述方法包含：　在第一偏置节点上，为第一操作模式传送第一选定电压，且为第二操作模式传送第二选定电压；　在第二偏置节点上，为所述第一操作模式传送第一未选定电压，且为所述第二操作模式传送第二未选定电压； 　当解码器输出节点被选定时，通过相应解码器输出驱动器电路的第一耦合电路将所述解码器输出节点耦合到所述第一偏置节点；　通过相应解码器输出驱动器电路的第二及第三耦合电路，当在所述第一操作模式下所述解码器输出节点未被选定时，将所述解码 器输出节点耦合到在所述第二偏置节点上传送的所述第一未选定电压，且当在所述第二操作模式下所述解码器...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：严天宏，卢卡G法索利，罗伊E朔伊尔莱因，
申请(专利权)人：桑迪士克三D公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]