晶体管的制造方法技术

一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底中或在衬底上形成沟槽；对所述沟槽的底部和侧壁进行第一离子注入，形成包围所述沟槽的第一掺杂区；形成位于所述沟槽中的隔离结构；对所述隔离结构所在区域的衬底进行第二离子注入，在衬底中形成包围所述隔离结构和第一掺杂区的第二掺杂区，所述第一离子注入和第二离子注入的杂质离子类型相同。本发明专利技术形成的LDMOS晶体管的耐压性较好。

Method for manufacturing transistor

A manufacturing method includes: providing a substrate; forming a transistor trenches in the substrate or on the substrate; the bottom and the side wall of the groove of the first ion implantation, forming a first doped region surrounded by the trench; forming the trench isolation structure is located on the substrate; the isolation structure area the second ion implantation, second doped region is formed to surround the isolation structure and the first doped region in the substrate, the first impurity ion implantation ion ion implantation of the same type and second. The LDMOS transistor formed by the invention has better pressure resistance.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
在功率集成电路的发展中，为了将功率开关以及控制电路整合在一起而开发的单芯片制程，尤其是目前用于制作单片集成电路的横向二次扩散金属氧化物半导体(lateral double diffusion M0S，LDM0S)制程，为一主流趋势。LDMOS制程是于半导体基板的表面进行平面扩散(Planar diffusion)以便形成横向的主要电流路径，由于LDMOS是以典型的IC 制程所制造，因此控制电路与LDMOS可以整合在一个单片电源IC上，LDMOS制程采用表面电场缩减(reduced surface electric field, RESURE)技术与低厚度外延(EPI)或N型阱区(Niell)，可以达到高电压与低导通阻抗的目的。LDMOS器件为近似于传统FET器件的一种场效应晶体管器件(FET)，皆包括在半导体衬底中形成一对被沟道区域所分隔开来的源/漏区区域，并且依次于沟道区域上方形成栅电极，然而，LDMOS器件与传统FET器件不同的是传统的FET器件中的一对源/漏区区域制成与栅电极相对称，而LDMOS器件中的漏区区域比源区区本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底中或在衬底上形成沟槽；对所述沟槽的底部和侧壁进行第一离子注入，形成包围所述沟槽的第一掺杂区；形成位于所述沟槽中的隔离结构；对所述隔离结构所在区域的衬底进行第二离子注入，在衬底中形成包围所述隔离结构和第一掺杂区的第二掺杂区，所述第一离子注入和第二离子注入的杂质离子类型相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31