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一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底中或在衬底上形成沟槽；对所述沟槽的底部和侧壁进行第一离子注入，形成包围所述沟槽的第一掺杂区；形成位于所述沟槽中的隔离结构；对所述隔离结构所在区域的衬底进行第二离子注入，在衬底中形成包围所述隔离结构...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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