单环MOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种单环MOS器件及其制作方法，其中单环MOS器件的制作方法包括以下步骤：在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；在炉管中进行热扩散的过程中，向炉管中注入氧气，以在半导体基片的上表面形成氧化层，并使第一掺杂离子向半导体基片的内部扩散以形成保护环。本发明专利技术在单环MOS器件的制作过程中通过在炉管推进的过程中加氧气，快速地在半导体基片表面形成一层保护作用的氧化层，极大地改善了单环MOS器件的耐压性能。

【技术实现步骤摘要】
单环MOS器件及其制作方法
本专利技术属于MOS(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)器件制作
，尤其涉及一种单环MOS器件及其制作方法。
技术介绍
现有的MOS制作工艺流程中，炉管推进(即炉管扩散)过程多采用15L/min(升每分钟)的纯氮气体做推进，目的是以惰性气体保护半导体基片的表面，可以满足具有多个保护环的多环MOS的制备要求。然而对于缩小了die(裸片)尺寸的新一代的具有一个保护环的单环MOS器件，其对于保护环的工艺要求更为苛刻。按照现有工艺制作单环MOS器件的保护环的过程如下：首先，参照图1，在半导体基片1的目标区域101中注入掺杂离子，注入后，掺杂离子集中于半导体基片1的上表面。然后，参照图2，在炉管中进行热扩散，在热扩散的过程中，向炉管中注入纯氮气体，注入纯氮气体的速率为15L/min。集中于半导体基片1的上表面的掺杂离子向半导体基片1的内部扩散，形成保护环102。然而，采用现有技术制作的单环MOS器件的耐压性能较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单环MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；/nS2、在炉管中进行热扩散的过程中，向所述炉管中注入氧气，以在所述半导体基片的上表面形成氧化层，并使所述第一掺杂离子向所述半导体基片的内部扩散以形成保护环。/n

【技术特征摘要】
1.一种单环MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；
S2、在炉管中进行热扩散的过程中，向所述炉管中注入氧气，以在所述半导体基片的上表面形成氧化层，并使所述第一掺杂离子向所述半导体基片的内部扩散以形成保护环。


2.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：
在所述炉管的升温的过程中，向所述炉管中注入氧气。


3.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，向所述炉管中注入氧气的速率为大于8L/min。


4.如权利要求3所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，向所述炉管中注入氧气的速率为15L/min。


5.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，步骤S2还包括：向所述炉管中注入氮气。


6.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东栋，张洁，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31