MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管技术

本发明专利技术提供了一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管。根据本发明专利技术的MOS晶体管隔离区制造方法包括：氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层；氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。通过采用根据本发明专利技术的MOS晶体管隔离区制造方法，能够在不降低MOS晶体管的性能的情况下减小鸟嘴区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种MOS晶体管隔离区制造方法及根据该MOS晶体管边界制造方法制成的MOS晶体管。
技术介绍
在制造MOS (金属_氧化物_半导体)晶体管器件时，场区(隔离区)的制备都是先于有源区的。通常隔离区会生长一个较厚的氧化层以防止寄生MOS晶体管的开启。在生长这一层氧化层时，有源区会覆盖有光刻胶。但是隔离区的氧化会横扩一部分进入有源区， 形成一个“鸟嘴”形状的横向突出部分，一般将该突出的“鸟嘴”形状的部分称为“鸟嘴区”。随着MOS晶体管器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”会影响器件尺寸的缩小，从而妨碍了器件的小型化。另一方面，随着MOS晶体管器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响。因此，希望能够提出一种能够在不降低MOS晶体管的性能的情况下减小“鸟嘴区” 的技术方案。
技术实现思路
鉴于上述技术问题，本专利技术的一个目的是提供能够在不降低MOS晶体管的性能的情况下减小“鸟嘴区”的MOS晶体管隔离区制造方法，并且提供一种根据该MOS晶体管边界制造方法制成的MOS晶体管。根据本专利技术的第一方面，提供了一种MOS晶体管隔离区制本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＭＯＳ晶体管隔离区制造方法，其特征在于，包括：氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层；氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。

【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，包括 氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层； 氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。2.根据权利要求1所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述MOS晶体管为功率VDMOS器件。3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述氧化物层是二氧化硅层。4.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，其中所述刻蚀步骤采用了干...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵丽，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31