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本发明提供了一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管。根据本发明的MOS晶体管隔离区制造方法包括：氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层；氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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