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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包含：提供一基底，上述基底在其一表面具有一鳍状物；以及形成一鳍式场效应晶体管，其还具有：在上述鳍状物上形成一栅极堆叠结构；在上述栅极堆叠结构的一侧壁上形成一薄层间隙壁；及以外延的方式从上述鳍状物生长一外延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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