【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造，特别涉及一种半导体工艺控制。
技术介绍
随着性能需求以及产量需要的增加，半导体工艺控制也逐渐变得重要。然而，随着工艺几何的缩小，例如从65纳米发展到45纳米或更微小，保持工艺变异在可接受的准位可能是一种挑战。工艺可能遭遇工具生产率的损失、操作者互动频繁、良率损失、较高的重做率、以及所有可能导致较高成本的原因。在其他工艺控制技术之间包含模型与反馈系统的高级工艺控制(Advanced Process Control, APC)已经广泛地用于减缓一些变异。APC技术通常具有多工艺层级(stage)。现有的APC技术的问题在于假设关联每个工艺层级的性能目标将在每个工艺层级的末端完成。换言之，现有的APC技术典型地不会考虑在制造工艺期间的漂移。实际上，每个工艺层级可能包含某些量的工艺漂移，随着时间，工艺漂移将累积且可能引起实质上偏离到APC工艺的最后性能目标。因此，虽然现有APC技术已经适用于预期的目标，但是还未完全地满足所有层面。
技术实现思路
为克服现有技术的缺陷，本专利技术公开的实施例提供一种半导体制造的方法，包括 提供一晶片的一装置参数...
【技术保护点】
１．一种半导体制造方法，包括：提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数，该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性；根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值；对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺；测量该第一工艺参数的一实际值；使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型；使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值；以及对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。
【技术特征摘要】
2010.03.25 US 12/731,3481.一种半导体制造方法，包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数，该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性；根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值；对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺；测量该第一工艺参数的一实际值；使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型；使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值；以及对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中该模型包括一方程式DP= h^Pi+ii^Pfb，其中DP表示该装置参数，P1及P2分别表示该第一及第二工艺参数，B1及 是系数，以及b是常数。3.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中该装置参数包括饱和漏极电流、临界电压、互导、互阻、饱和漏极电流均勻性、临界电压均勻性、互导均勻性以及互阻均勻性之一；以及该工艺参数包括有源区域临界尺寸、浅沟槽绝缘阶高度、多晶硅区域临界尺寸、偏移间隔宽度临界尺寸、快速热退火温度、栅极氧化厚度以及袋注入剂量之一。4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，还包括 测量该装置参数的一实际值；使用该装置参数的该实际值更新该模型； 测量该第二工艺参数的一实际值；对应该第一工艺参数的该目标值、该第一工艺参数的该实际值以及其组合之一决定该第一工艺参数的一最佳化目标值；以及对应该第二工艺参数的该目标值、该第二工艺参数的该实际值、该第一工艺参数的该实际值及其组合之一决定该第二工艺参数的一最佳化目标值。5.一种制造一半导体装置的方法，包括根据一第二参数的一目标值决定一第一参数的一目标值； 对应该第一参数的该目标值操作一第一制造工具； 测量该第一参数的一实际值；根据该第二参数的该实际值及该第一参数的该目标值决定一第三参数的一目标值；以及对应该第三参数的该目标值操作一第二制造工具； 其中该第二参数是该第一及第三参数的一函数；其中该第一及第三参数对应一半导体晶片的物理特性，及该第二参数对应该半导体晶片的一电特性。6.根据权利要求5所述的制造一半导体装置的方法，其中该函数表示为该第二参数 =B1* (该第一参数)+ * (该第三参数)+b，其中 与 是系数，且b是常数；以及其中在一第一半导体晶片上执行该操作该第一工艺工具及该操作该第二工艺工具；以及还包括根据该第一参数的该目标值以及该第一参数的该实际值决定该第一参数的一修正目标值；对应该第一参数的该修正目标值操作在一第二半导体晶片上的该第一工艺工具，该第二半导体晶片不同于该第一半导体晶片；根据该第三参数...
【专利技术属性】
技术研发人员：许志维，宋金宁，卢欣荣，牟忠一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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