【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺领域,尤其涉及一种
技术介绍
半导体工艺领域保证和评价半导体元器件质量和可靠性的传统方法是(1)常规测试、检验,包括生产过程中的工艺监测、产品出厂前的筛选测试、产品交付时的批接收抽样检验。( 可靠性寿命试验。( 现场使用数据积累。(4)整机厂对采购半导体元器件的再筛选。这些传统方法的实质是以“合格”为中心的“事后检验”。随着目前半导体工艺的元器件水平的提高,当半导体元器件的可靠性等级优于六级以后,可靠性寿命试验这条路已经越来越难以实现。同时,其他几种以“合格”为中心的方法已不能反映半导体元器件的实际质量可靠性水平。从80年代后期开始,国际上广泛采用工艺能力评价(Cpk)和统计过程控制 (Statistical Process Control, SPC)技术,重点从设计、制造、产品三方面保证和评价半导体元器件产品的质量和可靠性。附图说明图1是现有技术利用工艺能力评价和统计过程控制技术保证和评价半导体元器件产品的质量和可靠性的流程图。如图1所示,其中包括以下步骤步骤101确定关键工序节点。步骤102确定关键工序参数。步骤103实验设计。步骤104优化确定工艺条件。步骤105工艺参数采集。步骤106过程受控状态分析。如果过程为统计受控,则执行步骤108 工序能力是否满足要求。其中如果步骤106中检测出了失控或失控倾向,则执行步骤107 查找原因、纠正问题。然后返回步骤105,重复执行步骤105以下的步骤。当步骤108的执行结果为不满足要求时,也返回步骤105,重复执行步骤105以下的步骤。若步骤108的执行结果为满足要求,则执行步骤 ...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺机台参数优化调整的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定所述半导体工艺环境中的参数最优机台;令所述半导体工艺环境中的机台的参数与所述参数最优机台的参数匹配。
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺机台参数优化调整的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤 根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定所述半导体工艺环境中的参数最优机台;令所述半导体工艺环境中的机台的参数与所述参数最优机台的参数匹配。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定所述半导体工艺环境中的参数最优机台,包括以下步骤确定关键工序节点; 确定关键工序参数;收集与所述关键工序参数有关的所述半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据, 所述统计数据包括样本个数、样本方差、样本均值;定义USL和LSL值,所述USL为所述关键工序参数上限值,所述LSL为所述关键工序参数下限值;计算所述半导体工艺环境中的各机台的工序能力指数; 将所述工序能力指数最大的机台定义为所述参数最优机台。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述工序能力指数TCI为USL — LSLI Tamet -m\TCI =---J 1 — —^~^f- ISSf00J \ USL + LSL J\ 2 /其中,Target为所述机台的参数的目标值,m为所述机台的参数的样本均值,Slool为所述机台的参数的样本标准偏差,龙中 S2 = S2+S2+S2ζ、‘ O Toolchamber-to-chamber wafer-to-wafer within-wafer'其中,所述S2chamber-to-chamber 为所述机台的反应室的参数的样本方差,所述S2wafer_t0_wafer为晶圆内芯片间的参数的样本方差,所述s2within_wafCT为良率的参数的样本方差。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述令所述半导体工艺环境中的机台的参数与所述参数最优机台的参数匹配,包括以下步骤检查所述半导体工艺环境中的机台的参数的统计数据是否与所述参数最优机台的参数的统计数据匹配;根据所述检查结果调整...
【专利技术属性】
技术研发人员:王邕保,郭玉洁,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31
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