一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用于反应腔室内部的气体分配装置，包括基 座、覆盖环、挡板以及第一进气通道，在所述挡板内墙上设置有通孔， 并且所述覆盖环的杯壁遮盖住所述挡板内墙上的通孔，借助于所述通 孔而形成第二进气通道，所述第二进气通道包括所述基座与所述挡板 内墙之间的间隙、所述通孔、以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的 间隙，这样，工艺气体可经由所述第一进气通道和/或第二进气通道而 进入到反应腔室内。此外，本发明专利技术还公开一种应用上述气体分配装置 的半导体处理设备。本发明专利技术提供的气体分配装置和半导体处理设备不 仅具有较大的工艺窗口，而且其结构还较为简单，便于加工、安装和 维护，且成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种气体分配装 置以及应用该气体分配装置的半导体处理设备。
技术介绍
随着电子技术的高速发展，人们对集成电路的集成度要求越来 越高，这就要求生产集成电路的企业不断地提高半导体器件的加工/ 处理能力。目前，在半导体器件的加工/处理过程中广泛采用诸如等 离子体沉积技术等的等离子体处理技术。所谓等离子体沉积技术指的 是，工艺气体在射频功率的激发下产生电离形成含有大量电子、离子、 激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子 与待沉积的物体(例如，晶片)的表面发生物理和化学反应，从而在 待沉积的物体表面获得需要的沉积层。等离子体沉积技术需要借助于相应的半导体处理设备来实现。 通常，沉积技术所需的工艺气体通过设置在半导体处理设备反应腔室 内的气体分配装置而进入到反应腔室，并在此受到射频功率的激发产 生电离而形成等离子体。等离子体轰击靶材，以便在待沉积的物体表 面获得需要的沉积层。在半导体器件的加工/处理过程中，经常采用诸如溅射技术等的 等离子体沉积技术，尤其是在集成电路制造中的金属互连层和阻挡层 的制备过程中。所述金属互连层的作用是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于反应腔室内部的气体分配装置，包括基座、覆盖环、挡板以及第一进气通道，其中　所述基座置于反应腔室底部，用以支撑待处理的半导体器件；　所述挡板包括外墙、内墙以及连接在二者之间的中间连接部分，所述挡板外墙环绕反应腔室内壁设置，所述挡板内墙环绕所述基座设置并与其保持有间隙，以供工艺气体通过，而且，所述挡板内墙的顶端低于所述基座的上表面；　所述覆盖环呈大致杯形，罩扣在所述基座和所述挡板内墙的外围，并且杯底为中空的环形且置于所述基座之上，杯壁环绕所述挡板内墙和所述基座，所述覆盖环与所述挡板内墙之间保持有间隙；　所述第一进气通道包括所述挡板内墙与所述基座之间的间隙以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的...

【技术特征摘要】
1.一种应用于反应腔室内部的气体分配装置，包括基座、覆盖环、挡板以及第一进气通道，其中所述基座置于反应腔室底部，用以支撑待处理的半导体器件；所述挡板包括外墙、内墙以及连接在二者之间的中间连接部分，所述挡板外墙环绕反应腔室内壁设置，所述挡板内墙环绕所述基座设置并与其保持有间隙，以供工艺气体通过，而且，所述挡板内墙的顶端低于所述基座的上表面；所述覆盖环呈大致杯形，罩扣在所述基座和所述挡板内墙的外围，并且杯底为中空的环形且置于所述基座之上，杯壁环绕所述挡板内墙和所述基座，所述覆盖环与所述挡板内墙之间保持有间隙；所述第一进气通道包括所述挡板内墙与所述基座之间的间隙以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的间隙，其特征在于所述挡板内墙上设置有通孔，并且所述覆盖环的杯壁遮盖住所述挡板内墙上的通孔，借助于所述通孔而形成第二进气通道，所述第二进气通道包括所述基座与所述挡板内墙之间的间隙、所述通孔、以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的间隙，这样，工艺气体可经由所述第一进气通道和/或第二进气通道而进入到反应腔室内。2. 根据权利要求l所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔沿 所述挡板内墙的周向均匀设置。3. 根据权利要求l所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔的 数量为10 60个。4. 根据权利要求l所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔的 形状为圆形、椭圆形、方形、菱形、不规则多边形。5. 根据权利要求l所述的气体分配装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖青平，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11