本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该方法包括如下步骤：在一介电板上印制多个导电图案，以形成一预制墨印板，且将预制墨印板接合至一基底的一侧。导电特征部件包括一基底通孔电极自基底的一第一侧延伸至基底的一第二侧，其相对于第一侧。涂覆一导电...

本发明提供一种硅穿孔(TSV)的形成方法。在一实施例中，该方法包括在接触开口与TSV开口中形成导电层，之后以一道化学机械研磨工艺去除接触开口与TSV开口以外的导电材料，以分别形成接触插塞与TSV结构。本发明的硅穿孔的形成方法同时进行接触...

本发明提供一种具有应力沟道(strained?channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing?material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二...

本发明提供一种集成电路元件及凸块结构的形成方法，其中该集成电路元件包括：一半导体基底；一凸块下金属层，设置于该半导体基底上；一铜柱，设置于该凸块下金属层上，且具有一侧壁表面与一上表面；以及一保护层，设置于该铜柱的该侧壁表面与该上表面上，...

本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位...

本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表...

本发明涉及集成电路及其操作方法。集成电路包括一主-从触发器、一选择逻辑电路以及一通道结构。选择逻辑电路选择使能或禁能至少一时钟信号。通道结构根据被使能的时钟信号，将一数据信号传送至主-从触发器。由于选择逻辑是设计在时钟路径之中，而不是在...

本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井...

本发明公开了一种铜内连线结构，包含铜层、内衬层以及障壁层。铜层形成于介电层内，内衬层形成于铜层与介电层之间，障壁层形成于内衬层与介电层间的边界，且障壁层由金属氧化物所形成。

本发明一实施例提供一种电镀装置及于基板上电镀导电层的方法，其中电镀装置包括：基座，用以承载承载基板及设置于承载基板上的待电镀基板，其中待电镀基板上具有图案化材料层，图案化材料层具有至少一开口，露出待电镀基板上的待电镀区，以及密封环，用于...

本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内...

本发明公开一种封装用基板固定装置及半导体芯片封装体的制造方法。该封装用基板固定装置包括一底板，一积层基板，具有多个芯片置晶区域供至少一芯片接合，以及一上固定盖板，通过磁力或机械力将该积层基板平整地固定在该底板和该上盖固定板之间，其中该上...

本发明揭露了一种驱动器、n位驱动器系统与运算放大器缓冲器。驱动器利用运算放大器的终端的选择性偏压，来减少运算放大器输出的偏移。每一运算放大器输入包含晶体管差动输入对，此晶体管差动输入对包含一NMOS晶体管和一PMOS晶体管。在输入电压范...

本发明在此揭露一种二级数字模拟转换器与液晶显示器源级驱动器。此源级驱动器包含二级数字模拟转换器。此二级数字模拟转换器包含1位串行电荷重布数字模拟转换器、电压选择器以及伽玛校正扩充和决定逻辑(GammaCorrection?Expansi...

本发明提供一种集成电路及其制造方法，该方法包括：形成一多晶硅层于一基板上；以及图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极。对该多晶硅电阻实施一第一离子注入，以调整该多晶硅电阻的阻值。对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使...

本发明提供一种集成电路，用以消除负偏温度不稳定性，包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管；一控制电路，用以在一待命模式下，停止导通操作型PMOS晶体管；一第一PMOS晶体管；以及一输出节点；其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点，并...

本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而...

本发明是关于场效晶体管的制作方法及场效晶体管。此方法包含对半导体基板进行袋型布植。之后，在半导体基板上形成多晶硅层。图案化多晶硅层以形成多晶硅栅极。此场效晶体管包含第一型掺质的井，其形成于半导体基板中；金属栅极位于半导体基板上且位于井的...

本发明公开了一种集成电路结构的形成方法，该方法包含提供晶片，其包含基底与基底的主要表面上的半导体鳍片，以及进行沉积步骤，在半导体鳍片的上表面与侧壁上外延生长外延层，其中外延层包含半导体材料。然后，进行蚀刻步骤，移除一部分的外延层，在半导...

本发明公开了一种探针卡结构体及其组装方法，在本发明的一实施例中，一探针卡结构体是包含：一基材板；一连接中介层，在上述基材板的上方；一基底在上述连接中介层的上方；以及一固定架，在上述基底的上方，将上述基底与上述连接中介层固定于上述基材板。...