本发明提供在基底上的场效应晶体管与半导体元件的制造方法，场效应晶体管其结构包含栅极堆叠、隔绝结构以及在基底的上表面下方的源极/漏极凹陷空穴，凹陷空穴介于栅极堆叠与隔绝结构之间。凹陷空穴具有较低部分与较高部分，较低部分具有第一应变层与第一...

本发明揭露一种变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路。此变容器包含半导体基材、介电层、导电材料与杂质植入区域。半导体基材具有穿过基材表面的开口。介电层是设置于开口中的侧表面上。导电材料是形成介电层上并填充开口，形成可导电的穿...

本发明揭露一种内存装置与静态随机存取内存(static?random?access?memories；SRAM)装置。此内存装置包含位线偏压线路，用以在写入操作期间，偏压位线。位线偏压电路是操作来提供负偏压至位线。负偏压的强度与被提供至...

本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边...

本发明提供了有源像素单元结构及其制造方法，以利于降低有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量。在形成有源像素单元结构的工艺中基板上产生了应力，而此应力导致了有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量的增加。通过沉积具有反抵于上述产生的应力的一...

本发明提供用于铜柱凸块技术的L型侧壁保护工艺，L型侧壁保护结构由至少一非金属材料层形成，例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明还提供一种集成电路元件、其形成方法及封装组件，该集成电路元件包括：一凸块结构，设置于一半导体基底上，...

本发明公开了一种包含图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该装置包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一第一光线感测元件及一第二光线感测元件，设置于该基底之中，该第一及第二光线感测元件用以检测透过该背侧进入该基底的光波；以及一抗反射涂...

本发明提供一种集成电路元件与封装组件，集成电路元件包括：半导体基底；导电柱，设置于半导体基底之上，具有侧壁表面与上表面；凸块下金属层，设置于半导体基底与导电柱之间，具有一表面区域邻接至导电柱的侧壁表面且由侧壁表面延伸；以及保护结构，设置...

一种集成化的可调电感器、连续可调电感器及调整集成化于集成电路的可调电感器的方法，该集成化的可调电感器包括具备多个电感器弯折的主电感器、邻近于主电感器的至少一封闭回路涡电流线圈、以及串联于涡电流线圈的至少一可变电阻器。本发明允许电感值可横...

本发明提供一种具有对准标记的半导体结构及其形成方法。在一实施例的半导体结构中，多个栅极堆叠形成于半导体基板上并构成对准标记。多个掺杂结构形成于半导体基板中并位于每一栅极堆叠的两侧。多个通道区位于栅极堆叠下方，且通道区不具有任何通道掺质。

本发明提供一种制造集成电路(IC)装置的方法。以上所揭露的方法在IC装置的表面接近量(Surface?Proximity)以及顶端深度(Tip?Depth)上提供受到改善的控制。在一实施例中，上述方法是利用，于IC装置的源极区与漏极区之...

本发明提供一种太阳能电池的制造方法。上述方法是利用在一基板上依序溅镀靶材或共同溅镀靶材，然后对基板退火来制造来太阳能电池中的含硫化硫属化合物吸收物，上述靶材的其中之一包含一硫化合物。在一不含硫环境下进行上述退火且避免使用危险的硫化氢气体...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基板。于半导体基板上形成一第一高介电常数介电层。对第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺。在一实施例中，上述处理工艺可包括于氧气及/或在臭氧环境下的紫外线辐射工艺...

本发明揭露一种射频(RF)组件，包含一RF集成电路，此RF集成电路具有一RF输入与一RF输出。RF集成电路具有一N形金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，此NMOS晶体管具有一栅极端点耦合至RF输入、一漏极端点耦合至一第一电源供应节点、以...

本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。在一实施例中，一种集成电路装置包含：一基板，其具有一第一表面和一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；一第一装置和一第二装置，其覆盖该基板；及一隔离结构，其从该第一表面延伸穿过该基板到该第二表面，...

本发明提供一种校正电阻-电容滤波器的方法与装置及电路。以截止频率初始化电阻-电容滤波器将RC滤波器校正至所欲的截止频率。以RC滤波器过滤输入信号，以提供具有相位值及频率值的滤波器输出信号。若滤波器输出信号的相位值及频率值无法满足预设状况...

本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。

一种节能方法与电路，该方法包括：使用一输入电压产生具有一第一电压电平的一输出电压；于一第一周期，当该输出电压从该第一电压电平改变至一第二电压电平时，储存因该输出电压从该第一电压电平改变至该第二电压电平所产生的电荷；以及于该第一周期之后的...

本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，第一栅极设置于基板上，第一应变区与第一栅极之间间隔一第一间距；以及一第二晶体管，具有一第二栅极，第二栅极设置于...

本发明提供一种封装系统，此封装系统包括一集成电路设置于中介层之上。中介层包括一第一内连线结构。第一基板设置于第一内连线结构之上，其中第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中。一模封化合物材料设置于第一内连线结构之上且围绕第一基板。集成...