半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，第一栅极设置于基板上，第一应变区与第一栅极之间间隔一第一间距；以及一第二晶体管，具有一第二栅极，第二栅极设置于基板上，第二应变区与第二栅极之间间隔一第二间距，且第二间距大于第一间距。本发明专利技术可提供关于最佳化的弹性的优点。此外，可调整离子注入工艺以调整基板区域的注入部分的横向蚀刻速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件的制作方法，且特别涉及应变源极/漏极结构(strained source/drain structure)的制作方法。
技术介绍
半导体集成电路(integrated circuit, IC)工业已经历了快速的成长。集成电路的材料与设计的技术进步已产生了许多集成电路世代，且各个世代皆较先前的世代拥有更小且更复杂的电路。为了提升集成电路的性能，可使用应变源极/漏极区。然而，单一的集成电路芯片可具有多种不同类型的晶体管。这些不同类型的晶体管可能需要以不同的方式将其最佳化，也就是说，用在这些不同类型的晶体管中的应变源极/漏极结构也许需要以不同的方式设置(configure)与实施(implement)。然而，现今制作应变源极/漏极结构的方法并未考虑到这些不同的最佳化的需求。因此，尽管现行的应变源极/漏极结构的制作方法已普遍地可达到所预期的目的，但这些方法并非在所有方面都令人满意。
技术实现思路
为克服上述现有技术的缺陷，本专利技术一实施例提供一种半导体元件，包括一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，第一栅极设置于基板上，第一应变区与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元件，包括：一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，该第一栅极设置于该基板上，该第一应变区与该第一栅极之间间隔一第一间距；以及一第二晶体管，具有一第二栅极，该第二栅极设置于该基板上，该第二应变区与该第二栅极之间间隔一第二间距，且该第二间距大于该第一间距。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑振辉，冯家馨，蔡明桓，聂俊峰，黄益民，蔡瀚霆，王海艇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71