本发明公开了制造集成电路器件(如薄膜电阻器)的方法。示例性方法包括提供半导体基板；在所述半导体基板的上方形成电阻层；在所述电阻层的上方形成硬掩膜层，其中所述硬掩膜层包括处于所述电阻层上方的阻挡层以及处于所述阻挡层上方的介电层；以及在所述...

本揭示提供双端口静态随机存取存储器(static?random?access?memory，以下简称为SRAM)单元的一实施例。双端口SRAM单元包括用以数据存储的交叉耦合的第一和第二反相器，每一个反相器包括一上拉装置(PU)和多个下拉...

本发明公开光伏装置及薄膜太阳能电池的制备方法。本光伏装置的制造方法包括利用纳米压印(nanoimprint)技术定义光伏装置的各个电池单元，以制备光伏电池。本方法可包括提供一基板；在基板上形成第一导电层；以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层...

本发明提供一种工艺控制系统及其实现方法，该系统包括：一数据库，用以存储多个原始晶片制造数据；一数据探测模块，用以处理原始晶片制造数据，并根据一知识基础式工艺、一统计基础式工艺及一效应基础式流程中的至少之一，以选择原始晶片制造数据的最佳数...

本发明提供热处理腔、温度测量装置与方法，其中该温度测量装置，适用于非接触性测量待测元件的温度。辐射源发射入射辐射至待测元件以在既定时间加热待测元件至既定温度范围，入射辐射具有第一既定辐射范围。辐射检测器于待测元件被加热的时候接收来自待测...

一种存储器电路，包含以列的形式排列的第一存储器阵列组。此存储器电路包含第一保持器组，其中每个保持器与第一存储器阵列组中相对应的一存储器阵列电耦合。第一限流器与第一保持器组电耦合，并由第一保持器组共享。本发明可缩减存储器电路的面积。

本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括于一半导体基板的上方形成一栅极堆叠结构；于上述半导体基板中形成一凹陷，且邻接于上述栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于上述凹陷中成长一半导体材料，以形成一外延区；进行上述选择性成长步骤之...

本发明提供一种集成光电装置、显示器、反馈回路控制方法及照明设备。该集成光电装置包括：多个发光二极管；一光学传输线，耦接于所述多个发光二极管；一光线传感器，耦接于该光学传输线，用以通过该光学传输线以接收所述多个发光二极管产生的光线；以及一...

本发明提供一种半导体结构以及半导体元件的形成方法，半导体结构包括一第一基板、一第二基板以及一导电材料。第一基板具有形成于其上的电路。第二基板包括一第一接垫、一第一缓冲层以及一第一导体焊垫，其中第一缓冲层位于第一接垫上，且第一缓冲层的一开...

本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供...

本发明提供一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：一半导体基材；一凸块下金属层，形成于该半导体基材上；一导电柱体，形成于该凸块下金属层上，且具有一顶面及一侧壁表面，其中该侧壁表面具有一邻近该顶面的第一部分及一邻近该凸块下金属层的...

本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置包括一基板，其中具有一应力沟道区；一介电层，设置于至少部分的上述应力沟道区的上方；第一和第二导电层，设置于上述介电层的上方，且具有一第一数值的一特性；一导入应力导电层，设置于上述第一导...

本发明提供一种异常处理的方法以及用于工艺控制的异常处理方法，该异常处理方法包括存取一异常事件的一异常类型，根据至少一定义标准，过滤历史数据以提供一数据列，其中数据列包括多数据集，每一数据集包括一历史条件以及一历史控制参数，并且根据每一历...

本发明提供一种半导体装置，其包含一四角形晶体管单元，该四角形晶体管单元包含四个晶体管单元。上述四个晶体管单元中每个均包含一栅极电极。此四个晶体管单元的栅极电极是对准一正方形的四边。且四个晶体管单元中至少二者是以平行方式连接。

本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第...

本发明揭示一种集成电路结构及其形成方法，以在集成电路中提供内连线所需的绝缘结构。本发明一实施例的集成电路结构含有基板，其上具有两个相邻的内连线结构。盖层对准并形成于每一内连线结构上。侧壁物形成于每一内连线结构的相对两侧上，且气隙形成于内...

本发明提供一种半导体测试系统与方法，该系统包括：一晶片载台，用以支撑一具有数个发光元件的晶片；一探针卡，用以测试该晶片上的每一测试区；以及一光检测器，与探针卡整合以收集来自晶片的发光元件的光线。本发明可降低封装成本与增加制造效率。

本发明实施例提供一种图像感测元件及其制作方法，该元件包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一光线感测元件，形成于该基底中，该光线感测元件用以检测通过该背侧进入该基底的一光波；以及一再结晶硅层，形成于该基底的该背侧上，该再结晶硅层具有与该基底...

本发明公开一半导体元件的制造方法，包括：选择性生长一材料于一基板的一上表面；选择性生长一保护层于该材料上；以及于一蚀刻气体中移除部分该保护层。本发明可完全移除颗粒，而留下应变材料以提高载子迁移率并提升元件效能与产率。