本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时...

本发明关于一种控制一调整器的方法，调整器具有输入与输出电压，其方法步骤为：开启第一驱动器；判定第一时间周期相对第一与第二时间周期的持续期间比值，两个时间周期分别表示第一与第二驱动器开启的持续期间；依据持续期间比值与涟波电压，产生第二电压...

本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma?bombardm...

本发明提供一用以封装衬底及用于倒装芯片集成电路组成的封装装置及方法。该封装装置提供一衬底，其具有一阻焊层，在阻焊层中具有暴露导电凸块焊盘的开口，及在导电凸块焊盘之间暴露阻焊层底下的介电层的开口。倒装芯片集成电路使用热回焊连接至衬底，将集...

本发明公开一种半导体装置和制造方法，该半导体装置具有第一和第二互连结构，分别位于一阵列的第一列和第二列。第一和第二互连结构分别具有一参考电位节点，以及第一、第二、第三和第四导体，彼此耦接，并分别位于第一层、第二层、第三层、第四层之上，且...

本发明公开了一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法，其中所述互补式金氧半导体(CMOS)影像传感器，其包含：一像素阵列包含具有多个个别单元像素列的多个单元像素耦合至各自的列控制信号线；以及一缓冲器包含多个列控制信号驱动...

一种供微型元件用的基座包括一半导体基板，其具有限定在基板的一前侧的一凹槽，用于安装微型元件。基座也包括位于凹槽的一底部的一硅薄膜部，以及与凹槽的侧壁相邻的较厚框架部。基板包括一导电性馈通连接部，其从基板的一背侧至少局部地延伸通过较厚硅框...

因此，所提供的是一种在晶片中电镀晶片通孔的方法。提供一基底（２００），其具有第一侧及第二侧及多个晶片通孔（２１０）。每个通孔都包含在该第一侧及第二侧之间延伸的第一端及第二端。一第一晶种层（２２０）沉积于晶片（２００）的第一侧上。施予一薄...

一种鳍式场效应晶体管，它的鳍（１２）具有一上部分（３０）与一下部分（３２），上部分（３０）进行了第一导电类型的掺杂，下部分（３２）进行了第二导电类型的掺杂；其中上部分（３０）与下部分（３２）之间的结（３４）作为二极管；鳍式场效应晶体管还...

本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉（ＡＲＴ）与外延侧向成长（ＥＬＯ）技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材...

一种红外线传感器，包含一具有导热率相对较高部分（１２）及导热率相对较低部分（１４）的散热基材（１０）及一具有热接点（１８）及冷接点（２０）的平面热电偶层（１６），其中热接点（１８）位于散热基材的导热率相对较低的部分（１４）上。低导热介电...

一种电荷回收电路。第一PMOS晶体管具有耦接至第一节点的第一源极，耦接至第一控制晶体管的第一漏极，以及以第一电压驱动的第一栅极。第一NMOS晶体管具有耦接至第二节点的第二源极，耦接至第一控制晶体管的第二漏极，以及以第二电压驱动的第二栅极...

本发明提供一种半导体元件及其制法，在该半导体元件中第一晶体管与第二晶体管形成于相同基板上。第一晶体管包括第一集极、第一基极及第一射极，其中第一集极包括第一掺杂阱位于基板中，第一基极包括第一掺杂层位于基板上并且位于第一掺杂阱上，以及第一射...

一种半导体装置，包含封装基板，该封装基板包含一延伸至该封装基板顶面上的第一非回焊金属凸块，一位于该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板的裸片，一位于此裸片上且接合至上述封装基板的封装组件。此封装组件包含一延伸至上述封装基板...

本发明的一实施例包含一种间距缩减的方法。提供一基材。形成一第一材料层于基材上方。形成一第二材料层于第一材料层上。形成一硬掩模层于第二材料层上。形成一第一成像层于硬掩模层上。图案化第一成像层，以在硬掩模层上方形成数个第一特征。利用第一成像...

本发明提供一种内存组件以及制造内存的方法。内存组件包含卷标高速缓存阵列；配置以接收地址，并计算与输出前同位性(Pre-Parity)位的前同位性检查单元，其中前同位性位是从地址的所有位计算而得。配置比较器以比较由卷标高速缓存阵列读取的卷...

本发明是有关于一种半导体组件及其制造方法，以提供改善内连线可靠度与阻抗的机制。内连线的可靠度与阻抗可通过使用一复合阻障层而获致改善，其中复合阻障层提供良好的阶梯覆盖率与良好的铜扩散阻障，也提供与相邻层有良好的附着力。此复合阻障层包括一原...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件，包括：一基板，具有一第一有源区与一第二有源区；具有第一栅间距的多个第一栅电极，位于该第一有源区之上，其中每一第一栅电极具有一第一宽度；多个第一间隔物，邻近所述多个第一栅电极，其中每一...

本发明公开了一种含背照式图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该图像感测元件包含基底，具有正面以及相对于正面的背面，图像感测元件也包含形成于基底内的辐射检测元件，辐射检测元件用于检测经由背面进入基底的辐射波，图像感测元件还包含深沟...

本发明提供了一种场效应晶体管及其制造方法，其中该场效应晶体管包括：一基板，包括一表面；一栅极结构，包括多个侧壁与一顶面，该栅极结构设置于该基板之上；一间隔物，邻近该栅极结构的所述多个侧壁；一第一接触蚀刻停止层，位于该间隔物之上且沿着该基...