平面热电堆红外线微传感器制造技术

技术编号:7148032 阅读:289 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种红外线传感器,包含一具有导热率相对较高部分(12)及导热率相对较低部分(14)的散热基材(10)及一具有热接点(18)及冷接点(20)的平面热电偶层(16),其中热接点(18)位于散热基材的导热率相对较低的部分(14)上。低导热介电层(22)位于热电偶层(16)上方,且具有一通孔(24)通向热接点(18)。一红外线反射层(26)覆盖低导热介电层(22)及通孔(24)的侧壁。一红外线吸收器(30;30’)位于通孔中。此结构形成一平面红外线微传感器,其使用一结构化基材及一介电层,以避免需要任何特定封装。此设计通过聚焦于热电偶而具有较高的灵敏度,且对气体传导及对流有较佳的抗扰性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种红外线传感器。
技术介绍
在工艺控制及制造中,红外线温度传感器已使用多年,且最近汽车应用上的使用 更是逐渐增多。硅热电堆,当制造成本低至足以用于车辆使用时,仅产生非常低的输出信 号。因此,由于噪声的问题,对于现成的通用低成本元件来说,信号增强及校正变得困难。小尺寸的红外线传感器通常由三个功能部件形成。首先,使用辐射吸收涂布来选 择频宽。接着,热电堆检测器以席贝克效应转换温度差成为电压。热电堆基本上为一或多 个热电偶的排列。最后,装设热电偶检测器的基材至散热片上,稳定传感器的温度。当使用硅技术时,需考虑到硅基材的高导热率。其中一种解决方法为使用微机械 式悬挂结构,例如薄膜或悬臂。热接点聚集在位于具有低导热率的薄膜或悬臂上的吸收区 附近,因而减少热传导的损失。冷接点位于散热片上,通常为硅基材。此种结构使热电偶的 热接点和冷接点之间具有高热阻,及因此能具有高灵敏度。将多种的上述热电偶传感器集成在一硅晶片上,并使用多晶硅作为热电堆是已经 可行的。然而,这两种类型的热接点之间显著的热差异,使传感器对于气体传导和对流现象 高度敏感。这些装置因此必须形成为封装结构。因此,所需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外线传感器,包括:一散热基材(10),具有导热率相对较高的部分(12)及导热率相对较低的部分(14);一平面热电偶层(16),具有一热接点(18)及一冷接点(20),其中该热接点(18)位于该散热基材的相对较低导热率的部分(14)上;一低导热介电层(22),位于该热电偶层(16)上,且具有一通孔(24)通向该热接点(18);一红外线反射层(26),覆盖该低导热介电层(22)及该通孔(24)的侧壁,于该红外线反射层(26)中的热接点的位置提供有一开口;以及一红外线吸收器(30;30’),位于该通孔中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆罕默德·包特许
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71

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