【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种微机械ＣＭＯＳ热电堆红外测温传感器，其特征在于：它采用桥式结构，包括硅衬底和设置在硅衬底上的微桥，热电堆热端位于微桥中心区域，冷端位于硅衬底热沉之上，微桥中心区域的传感器光敏区悬浮设置在硅衬底被刻蚀后形成的空腔之上，微桥包括由内向外依次设置的由氧化硅薄膜和氮化硅薄膜制成的支撑层、掺杂多晶硅和Ａｌ薄膜制成的Ａｌ－Ｓｉ热电偶和氮化硅制成的钝化层，所述微桥的传感器光敏区的外表面设有红外线吸收层，所述掺杂多晶硅和Ａｌ薄膜之间设有隔离介质层，所述微桥上设有刻蚀孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王宏臣，陈文礼，甘先锋，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：37
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