从填充有中间层的沟槽生长Ⅲ－Ⅴ化合物半导体制造技术

一种形成集成电路结构的方法，包括：在衬底的至少一部分上方形成绝缘层；在绝缘层的顶面上方形成多个半导体柱。该多个半导体柱通过绝缘层的多个部分水平隔离。该多个半导体柱配置为周期性图案。该方法进一步包括：从半导体柱的顶面和侧壁外延生长ＩＩＩ－Ｖ化合物半导体膜。此外，还公开了一种从填充有中间层的沟槽生长ＩＩＩ－Ｖ化合物半导体。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及集成电路制造工艺，更具体地，涉及形成III-族V-族(III-V)化 合物半导体膜。
技术介绍
诸如氮化镓(GaN)的III-族V-族化合物半导体(通常被称为III_V化合物半导 体)及其相关合金近些年来已经被深入研究，这是由于它们在电子和光电器件中的应用前 景。采用III-V化合物半导体的可能光电器件的特定实例包括蓝光发光二极管和激光二极 管、以及紫外线(UV)光电探测器。许多III-V化合物半导体的大带隙和高电子饱和速度还 使得它们成为在高温和高速功率电子下进行应用的极好候选对象。外延生长GaN膜被广泛用于发光二极管的制造。不幸的是，外延GaN膜必须在衬 底而不是GaN上生长，这是因为由于通常用于生长块状晶体的温度处的氮的高平衡压力而 导致很难获得GaN块状晶体。由于缺少用于GaN衬底的可行块生长方法，GaN通常被外延 沉积在诸如硅、SiC和蓝宝石(Al2O3)的不同衬底上。然而，在不同衬底上的GaN膜的生长 是很难的，这是因为这些衬底具有不同于GaN的晶格常数并且热膨胀系数。如果可以克服 在硅衬底上的GaN膜生长中的困难，由于硅衬底的低成本、大直径、高晶体和表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：设置衬底；在所述衬底的至少一部分上方形成绝缘层；在所述绝缘层的顶面上方形成多个半导体柱，其中，所述多个半导体柱通过所述绝缘层的多个部分水平隔离，并且其中，所述多个半导体柱配置为周期性图案；以及从所述半导体柱的顶面和侧壁外延生长Ⅲ－Ⅴ化合物半导体膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：万幸仁，柯志欣，吴政宪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]