发光装置封装件及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置封装件及其形成方法，该发光装置封装件的形成方法包括：提供一基板；形成一发光装置于该基板上；自该基板处移除该发光装置；提供一载具晶片，该载具晶片包括用于电性连结位于该载具晶片的相对侧上构件的一第一基板穿孔插销；以及结合该发光装置与该载具晶片，使该发光装置电性连结于该第一基板穿孔插销。本发明专利技术可增加发光装置光输出区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置封装件(light-emitting components)，且特别涉及一种包括基板穿孔插销(through-substrate vias, TSVs)的垂直型发光装置(vertical LED)封装件。
技术介绍
近年来，如发光二极管(light-emitting diode, LED)、激光二极管(laser diodes)与紫外光光检测器(UV photo-detector)的光学装置的使用已为频繁。如氮化镓 (GaN)及其合金等III族-氮化合物(group-Ill Nitride compound)材料已证实为适用于上述光学装置的制作。III族-氮化合物材料的较大能隙(bandgap)与高电子饱和速率也使得其成为高温与高速的电源电子装置应用中的极佳选择。基于一般生长温度下的氮的高平衡压力，因此并不容易得到GaN材质的块状结晶物。如此，GaN膜层与各别的发光二极管通常形成于符合GaN特性的其他基板上。蓝宝石 (sapphire, Al2O3)为常用的基板材料。图1显示了包括了发光二极管2的一封装件(package component)的剖面情形。包括了本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置封装件的形成方法，包括：提供一基板；形成一发光装置于该基板上；自该基板处移除该发光装置；提供一载具晶片，该载具晶片包括用于电性连结位于该载具晶片的相对侧上构件的一第一基板穿孔插销；以及结合该发光装置与该载具晶片，使该发光装置电性连结于该第一基板穿孔插销。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王忠裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]