反熔丝及反熔丝的制造方法技术

一种制造反熔丝的方法，包括提供具有位线扩散区域和电容器扩散区域的衬底。在衬底之上形成栅极电介质层，并且在栅极电介质层上形成字线。在独立于形成栅极电介质层处理步骤的处理步骤中，在电容器扩散区域上形成氧化物层。选择线接触插塞形成在氧化物层之上并与其接触以形成将氧化物层作为其电容器电介质层的电容器。选择线接触插塞被配置用于施加电压，以引起氧化物层的永久击穿，从而对反熔丝进行编程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及半导体制造，更具体地，涉及反熔丝(antifuse)。
技术介绍
反熔丝是以高阻抗开始的电器件，并被设计成永久创建导电路径(尤其当反熔丝 两端的电压超过某一电平时)。反熔丝可用于永久地对集成电路(IC)进行编程。例如，某 一可编程逻辑阵列(PLA)使用反熔丝来配置逻辑电路并根据标准IC设计创建定制的设计。 反熔丝PLA是一次可编程的。Philipe Candelier 等人在 2000 年加拿大圣何塞第 38 届 AnnuaUnternational Reliability Physics Symposium 的"One Time Programmable DriftAntifuse Cell Reliability”中描述了互补金属氧化物半导体(CMOQ IC的栅极氧化物层被用作电容器层 的配置，使得在标准CMOS工艺期间制造反熔丝。反熔丝是标准的N+多晶硅/5nm氧化物厚 度/N阱电容器。栅极氧化物在工艺级很容易被控制(厚度、击穿电压、寿命等)，并且与聚 乙烯(poly)或金属熔丝相比可以被极限电流损坏。用于反熔丝的高编程电压在低压CMOS 工艺中实现，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反熔丝，包括：衬底，具有位线扩散区域和电容器扩散区域；栅极电介质层，在所述衬底之上；字线，在所述栅极电介质层上；氧化物层，在所述电容器扩散区域上，所述氧化物层充分厚于所述栅极电介质层；以及选择线接触插塞，在所述氧化物层之上并与其接触，以形成将所述氧化物层作为其电容器电介质层的电容器，所述选择线接触插塞被配置成用于施加电压以引起所述氧化物层的永久击穿，从而对所述反熔丝进行编程。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，林崇荣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，国立清华大学，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]