半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括由具有低熔点的导电性聚合物层所形成的熔丝图案。该熔丝图案可以在低温下容易地切割，因此可以提高修复效率。该半导体器件包括：第一和第二熔丝连接图案，其彼此隔开一段距离；熔丝图案，其连接第一和第二熔丝连接图案，并包括形成在第一和第二熔丝连接图案之间的导电性聚合物层；以及熔丝盒结构，其使熔丝图案暴露出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及包括熔丝图案的半 导体器件，该熔丝图案形成为具有低熔点的导电性聚合物层，并且可 以在低温下容易地切割，因此可以提高修复效率。
技术介绍
在制造半导体器件时，即使器件的多个单元中只有一个出现瑕 疵，则该器件便不能作为存储器来使用并被视为不良品。但是因为该存储器中的一个单元有瑕疵就废弃该器件，从成品 率来看是不经济的。要修复整个存储器，可用预先安装在存储器件中的冗余单元来 取代有瑕疵的单元，如此便能提高成品率。利用冗余单元进行修复的方法包括使用设置在每个单元阵列 中的冗余字线或冗余位线，来取代有瑕疵的正常字线或是有瑕疵的正 常位线。当在处理晶片后的测试中发现有瑕疵的单元时，内部电路执行 程序，以冗余单元的地址来取代对应于该瑕疵单元的地址。因此，在 实际使用时输入对应于该瑕疵单元的地址信号，以存取该冗余单元的 数据。通常，该程序系统包括使用激光束来烧灼并烧断熔丝，以取代 地址路径。因此，常见的存储器件包括构造成能用激光照射并烧断熔 丝以取代地址路径的熔丝单元。熔丝是指用激光来照射而切割的线， 而熔丝盒则是指切割部位及其周围区域。熔丝单元具有多个熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　第一和第二熔丝连接图案，其彼此隔开一段距离；　熔丝图案，其连接所述第一和第二熔丝图案，并包括形成在所述第一和第二熔丝连接图案之间的导电性聚合物层；以及　熔丝盒结构，其使所述熔丝图案暴露出。

【技术特征摘要】
KR 2008-3-11 10-2008-00226191. 一种半导体器件，包括第一和第二熔丝连接图案，其彼此隔开一段距离；熔丝图案，其连接所述第一和第二熔丝图案，并包括形成在所述第一和第二熔丝连接图案之间的导电性聚合物层；以及熔丝盒结构，其使所述熔丝图案暴露出。2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述导电性聚合物层包括金属聚合物层。3. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述熔丝图案具有与所述第一和第二熔丝连接图案大致相同的咼度。4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述熔丝图案突出至所述第一和第二熔丝连接图案之上。5. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述熔丝图案突出至所述第一和第二熔丝连接图案之下。6. —种制造半导体器件的方法，所述方法包括 在半导体基板上形成第一和第二熔丝连接图案； 在包括所述第一和第二熔丝连接图案在内的半导体基板上形成层间绝缘膜；蚀刻所述层间绝缘膜以形成模型区域，所述模型区域使所述半 导体基板在所述第一和第二熔丝连接图案之间的部分暴露出； 形成填充所述模型区域的导电性聚合物层；以及 将所述导电性聚合物层和所述层间绝缘膜平坦化，以形成熔丝 图案。7. 根据权利要求6所述的方法，其中， 所述第一和第二熔丝连接图案包含金属线材料。8. 根据权利要求6所述的方法，其中，蚀刻所述层间绝缘膜的步骤是使用限定熔丝图案形成区域的掩 模通过光蚀刻工序而实施的。9. 根据权利要求8所述的方法，其中， 所述掩模的形状是矩形。10. 根据权利要求8所述的方法，其中， 所述掩模的形状是椭圆形或圆形。11. 根据权利要求6所述的方法，其中， 所述导电性聚合物层包括金属聚合物层。12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属聚合物层是通过混合作为溶质的纳米金属粉末以及作 为溶剂的聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴亨镇，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]