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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括由具有低熔点的导电性聚合物层所形成的熔丝图案。该熔丝图案可以在低温下容易地切割，因此可以提高修复效率。该半导体器件包括：第一和第二熔丝连接图案，其彼此隔开一段距离；熔丝图案，其连接第一和...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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