【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及集成电路领域，更具体地说，本专利技术涉及通过利用在半导体集成电路中的相变材料编程的可逆熔丝链接。
技术介绍
在集成电路存储器中的冗余是当前芯片制造术的一部分以提高产量。通过用芯片上的备份或冗余电路替代有故障单元，明显提高了集成电路存储器的产量。当前实践是熔断传导连接(熔丝)，从而允许使用冗余存储器单元替代无功能单元。另一普通实践提供专用芯片和模块以使芯片适用于特殊应用。通过在具有多个潜在应用的集成电路中选择性熔断熔丝，单个集成电路设计可以经济地制造并且适用于各种常规使用。当前的E-熔断技术能够提供芯片在许多级上的分级修复；在第一轮晶片最终测试(WFT)的第一修复，在第二轮WFT的第二修复，和在芯片封装的最终测试期间的第三修复。为实现此分级修复，或者在修复的每个阶段编程熔丝，或者将每级的数据保存为串直到编程所有熔丝的最后级。对于在修复的每个阶段编程熔丝的第一方法，必须建立额外冗余以允许在三个步骤中进行该修复。这有时效率低并且导致在要求额外冗余的多级重复修复。另一种选择，其中在最后测试级一次编程所有的熔丝，具有抑制在要求在较高级修复的级不必要地编...
【技术保护点】
一种可再编程熔丝结构，包括：相变材料短线，具有高阻态和低阻态；与所述相变材料线的过孔接触；控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储 存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C蒂贝格，RL威斯涅夫，刘小虎，SM罗斯纳格尔，GW伯尔，C科塔德拉曼，CH兰，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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