具有发光变换元件的发光半导体器件制造技术

发光半导体元件，具有发射射线的半导体主体（１）和一个发光变换元件（４，５）。半导体本体（１）发射光谱段在紫外、蓝和／或绿段的射线，发光变换元件（４，５）将这种射线的一部分变换成波长较长的射线。从而能够通过一个单个的发光半导体主体，将原来发射混合色的发光二极管制成专门发射白光的发光二极管。特别推荐将ＹＡＧ：Ｃｅ作为发光变换染料之用。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请人奥斯兰姆普托半导体股份有限两合公司的申请日为1997年6月26日的专利技术名称为“具有发光变换元件的发光半导体器件”的中国专利申请200310118179.2的分案申请。本专利技术涉及按照权利要求1前序部分的发光半导体器件。这种类型的半导体器件，例如从公开文件的DE 38 04 293中有所了解。文中介绍了一种电激发光二极管或激光二极管的结构。在此结构中，通过一个掺有发荧光的变光有机染料的塑料元件将二极管发射的全部发射光谱向波长较大的方向推移。通过这种措施，使这种结构发射出另一种不同于发光二极管发射的颜色的光。通过在塑料中掺入不同种类的染料，用同一种发光二极管就可以制成发射不同颜色的光的发光二极管结构。在DE-OS 2 347 289中发表了一种红外(IR)固体灯，其中，在一个IR二极管的边沿上涂布荧光剂，从而使该处所发射的IR射线转变成可见光。采用这种措施的目的在于，为了控制的目的，在尽可能小地降低二极管发射的IR射线强度的同时，将其中尽可能小的一部分射线转换成可见光。另外，在EP 486 052中发表了一种发光二极管，其中，在基片与一层有源电激发光层之间至少设置一层半本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光半导体器件，包括：一个半导体主体，其在半导体器件工作时发射电磁射线，所述的半导体主体具有半导体多层结构，其适合于发射来自紫外、蓝色和／或绿色的光谱段的第一波长段的电磁辐射；一个第一引线和一个第二引线，这两个引线分别与半导 体主体作导电连接；一个至少在所述半导体主体上、含有至少一种发光材料的发光变换元件，所述的发光变换元件对于所述第一波长段的射线的一部分是透明的，其将第一波长段的射线的另一部分变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体器件 发射由第一波长段的射线和第二波长段的射线形成的混合射线；其中所述的发光变换元件包括由硅形成的发光...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：U雷，K赫恩，N斯塔施，G韦特，P施洛特，R施米特，J施奈德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]