发光器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光器件及其制造方法，由此通过简单的热处理工艺将该薄膜掩模变为聚集块，并且在聚集块中形成多个纳米开口，每个纳米开口间隔开一距离，蚀刻暴露于该纳米开口的发光结构以在其中形成纳米槽和纳米开口，使得能够增大发光面积和减少被全反射的光，从而提高光抽取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。典型地，发光器件是具有一定波长的光源，其用于各种用途，例如，光源和显示器。
技术介绍
发光器件内产生的大多数光通过两种材料例如半导体和空气之间的界面大于临界角的反射被限制在发光器件内。也就是说，以大于临界角入射表面的光将不能通过而是被全反射(TIR)。图1是概念性地示出了根据现有技术的两种材料之间由于不同折射率而形成的光路。根据公式1的Snell定律，当光从折射率为n1的材料射向折射率为n2的另一种材料时，如果其入射角小于临界角，光将被折射。否则，大于临界角的光将从两种材料之间的界面全反射。公式1n1*sinθ1＝n2*sinθ2其中，θ1为入射角，而θ2为折射角。图2为根据现有技术的发光器件的光路的截面示意图。发光器件按从下到上的顺序包括基板(10)，N-型半导体层(11)，有源层(activelayer)(12)和P-型半导体层(13)，其中在从有源层(12)发出的光中，以小于临界角传播到器件外侧的光(a，b，c)将有源通过，而以大于临界角到达器件外侧的光(d)将不能通过，而是受到全反射(TIR)被限制在器件内。结果，如果被限制在发光器件中的量增加，则从发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：基板；第一层，其具有第一极性，形成在该基板上，该第一层的一部分被移除，并且多个纳米槽形成在所述第一层未被移除的区域上；有源层，其形成在未被移除的第一层上，并且其形成有与该纳米槽连通的纳米开口； 第二层，其形成在有源层上并具有与第一层的极性相反的极性，并且其形成有与该纳米开口连通的纳米开口；第一电极，其形成在该第二层上；以及第二电极，其形成在被移除的该第一层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，曹贤敬，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]