氮化镓基半导体器件制造技术

一种氮化镓基半导体器件具有ｐ型层，所述ｐ型层是包含ｐ型杂质并呈现ｐ型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述ｐ型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述ｐ型杂质元素和与之结合的氢。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有p型氮化镓半导体层的氮化镓基半导体器件，例如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)或pin型光电探测器。除了包括需要p型III族氮化物半导体的发光二极管和激光二极管的半导体发光器件外，根据本专利技术的制造p型III族半导体的方法还可应用于制造包括各种高速晶体管和光电探测器的任何种类的半导体器件。在这些半导体器件中，本专利技术的方法可以有利地用于制造需要形成pn结和形成具有良好特性的正电极的半导体发光器件。将要描述根据本专利技术的方法制造的III族氮化物半导体发光器件的结构的一个实例。如果必要，通过缓冲层在衬底上依次淀积n型III族氮化物半导体层、发光层和p型半导体层，并在n型半导体层和p型半导体层上分别设置负电极和正电极。这里，构成最上层的p型半导体层具有与本专利技术相关的所述结构。可以不需要任何修改地将本领域已知的蓝宝石、SiC、GaN、AlN、Si、ZnO或其它氧化物以及其它材料用作衬底材料。在这些材料中，优选蓝宝石。当必要时，设置缓冲层以调节在衬底和在其上生长的n型半导体层之间的晶格失配。可以根据相关
已知的现有技术将n型半导体层的成分和结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基半导体器件，具有ｐ型层，所述ｐ型层是包含ｐ型杂质并呈现ｐ型导电性的氮化镓化合物半导体层，其中所述ｐ型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分，以及其中所述内部部分包含所述ｐ型杂质元素和与之结合的氢。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小早川真人，友泽秀喜，三木久幸，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]