基于氮化物的半导体发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种基于氮化物的半导体ＬＥＤ。在该基于氮化物的半导体ＬＥＤ中，ｎ型氮化物半导体层形成在衬底上，该ｎ型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，以便第一区域和第二区域彼此啮合。在ｎ型氮化物半导体层的第二区域上形成有源层。ｐ型氮化物半导体层形成在有源层上，然后在ｐ型氮化物半导体层上形成反射电极。在反射电极上形成ｐ电极，以及在ｎ型氮化物半导体层的第一区域上形成ｎ电极。在ｎ电极上形成多个ｎ型电极焊盘。至少一个ｎ型电极焊盘邻近ｎ电极的不同侧面布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于氮化物的半导体发光二极管(LED)，其能够通过提高电流扩散效率而以低驱动电压来驱动。
技术介绍
通常，基于氮化物的半导体是具有实验式AlXInYGal-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)的族III-V半导体晶体。基于氮化物的半导体被广泛用作发出短波长光(范围从紫外光到绿光)，尤其是蓝光的LED。基于氮化物的半导体LED形成在诸如蓝宝石衬底或SiC衬底的绝缘衬底上，这满足了晶体生长的晶格匹配条件。连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层的两个电极具有平面结构。就是说，两个电极几乎水平地排列在发光结构(emission structure)上。具有平面结构的基于氮化物的半导体LED被用作光源时，必需具有高亮度。为了获得高亮度，已制造了以高电流运行的大型基于氮化物的半导体LED。然而，基于氮化物的半导体LED具有两个电极分别布置在发光结构的顶面和底面的纵向结构。与具有纵向结构的基于氮化物的半导体LED相比，具有平面结构的大型基于氮化物的半导体LED在整个发光区域中具有不均匀的电流。因而，用于发光的有效区域并非那么宽，以致于发光效率很低。另外，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于氮化物的半导体发光二极管（ＬＥＤ），包括：衬底；ｎ型氮化物半导体层，形成在所述衬底上，所述ｎ型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，从而使所述第一区域和所述第二区域彼此啮合；有源层， 形成在所述ｎ型氮化物半导体层的所述第二区域上；ｐ型氮化物半导体层，形成在所述有源层上；反射电极，形成在所述ｐ型氮化物半导体层上；ｐ电极，形成在所述反射电极上；ｎ电极，形成在所述ｎ型氮化物半导体层的所述第一区域 上；以及多个ｎ型电极焊盘，形成在所述ｎ电极上，所述ｎ型电极焊盘中...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高健维，黄硕珉，朴亨镇，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]