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本发明公开了一种发光器件及其制造方法，由此通过简单的热处理工艺将该薄膜掩模变为聚集块，并且在聚集块中形成多个纳米开口，每个纳米开口间隔开一距离，蚀刻暴露于该纳米开口的发光结构以在其中形成纳米槽和纳米开口，使得能够增大发光面积和减少被全反射的...
该专利属于LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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