一种电可编程熔丝器件、集成电路和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电可编程熔丝器件、集成电路和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明专利技术的电可编程熔丝器件，包括阳极、阴极以及连接所述阳极与所述阴极的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应力层和覆盖所述阴极的张应力层。该电可编程熔丝器件由于具有覆盖阳极的压应力层和覆盖阴极的张应力层，因此相对于现有技术具有更快的编程速度。本发明专利技术的集成电路包括上述的电可编程熔丝器件，因而同样具有上述优点。本发明专利技术的电子装置包括上述的集成电路，因而同样具有上述优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种电可编程熔丝器件、集成电路和电子装置。
技术介绍
在半导体
中，电可编程熔丝(eFuse)由于具有与CMOS逻辑器件兼容以及易于使用等优势而作为一次可编程(OTP)存储器在很多电路中得到广泛的应用。图1A和图1B示出了现有技术中eFuse器件的两种典型结构的俯视图，这两种eFuse器件均包括阳极(anode)101、阴极(cathode)102以及连接阳极与阴极的熔丝连接部(eFuselink)103。其中，阳极101和阴极102可以称作eFuse的头部(head)。图1A和图1B所示的两种eFuse的主要不同之处在于eFuse的头部的形状不同，其中图1B所示的eFuse的头部为矩形，图1A所示的eFuse的头部则为向熔丝连接部103缩小的多边形。通常，图1A和图1B所示的eFuse的剖视图的结构完全相同。其中，图1C示出了沿图1A或图1B中剖线AA’的剖视图。由图1C可知，在现有技术中，eFuse器件的阳极、<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电可编程熔丝器件，其特征在于，包括阳极、阴极以及连接所述阳极与所述阴极的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应力层和覆盖所述阴极的张应力层。

【技术特征摘要】
1.一种电可编程熔丝器件，其特征在于，包括阳极、阴极以及
连接所述阳极与所述阴极的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应
力层和覆盖所述阴极的张应力层。
2.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述
压应力层和所述张应力层延伸至所述熔丝连接部的上方。
3.如权利要求2所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述
压应力层和所述张应力层彼此邻接。
4.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述
压应力层的材料包括压应力氮化硅，所述张应力层的材料包括张应力
氮化硅。
5.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述
压应力层与所述张应力层还作为接触孔刻蚀阻挡层。
6.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述
阳极、所述阴极以及所述熔丝连接部均包括多晶硅层以及位于所述多
晶硅层之上的硅化物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31