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一种制造反熔丝的方法，包括提供具有位线扩散区域和电容器扩散区域的衬底。在衬底之上形成栅极电介质层，并且在栅极电介质层上形成字线。在独立于形成栅极电介质层处理步骤的处理步骤中，在电容器扩散区域上形成氧化物层。选择线接触插塞形成在氧化物层之上并...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;国立清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;国立清华大学授权不得商用。