MTM反熔丝制作方法技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，尤其是一种MTM反熔丝制作方法。包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层上依次进行金属间介质层淀积和下层金属层淀积；B，进行第一阻挡层淀积；C，进行反熔丝介质层淀积；D，对反熔丝介质层进行SSE工艺处理，提高反熔丝介质层的非晶化程度；E，进行第二阻挡层淀积；F，进行MTM反熔丝光刻和腐蚀工艺，形成MTM反熔丝结构的上极板部分；G，对下层金属层进行光刻和腐蚀工艺，形成MTM反熔丝下极板部分；H，进行第二金属间介质层淀积和上层金属层淀积，并对上层金属层进行光刻和腐蚀后，形成MTM反熔丝完整结构。本发明专利技术能够大幅改善反熔丝非晶化程度，提高反熔丝介质层的击穿一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
,尤其是一种MTM反熔丝制作方法。
技术介绍
MTM (金属到金属)反熔丝工艺通常应用于FPGA和PR0M:类电子产品,这类电路具有灵活性好,保密性强、抗辐射性能优异等特点。根据实际需要对电路中反熔丝单元进行编程，从而实现电路功能和存储状态。在航天和军工领域应用前景十分广阔。MTM反熔丝单元结构为在两层金属之间，该反熔丝单元材料由反熔丝介质层和两层电介质层构成,反熔丝介质分布在顶层金属到下层金属的通孔之间。其工作原理是编程时使用预设的编程电压和编程电流加在反熔丝的上下电极之间，在较短的时间内(毫秒级)使反熔丝介质薄膜熔穿，形成具有较好电特性的导电通道，导电通道的建立意味数据信息编写完成。MTM反熔丝结构的制作工艺中，在下层金属层淀积时同时将反熔丝介质材料和阻挡层材料(惰性金属)连续淀积,接着进行反熔丝光刻和刻蚀,形成反熔丝上极板；然后进行下层金属光刻和刻蚀形成F层金属和反熔丝结构；接着进行PES12淀积,反熔丝通孔光刻和刻蚀，此时反熔丝通孔底部刻蚀停止在阻挡层上；然后进行顶层金属淀积，通过顶层金属光刻和刻蚀,完成MTM反熔丝结构。在含MTM反熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
MTM反熔丝制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层（1）上依次进行第一金属间介质层（2）淀积和下层金属层（3）淀积；B，在下层金属层（3）上进行第一阻挡层（4）淀积，所述第一阻挡层（4）为惰性金属，用于防止后面淀积的反熔丝介质层（5）与下层金属层（3）发生反应，造成失效；C，采用磁控溅射工艺方法在第一阻挡层（4）上进行反熔丝介质层（5）淀积，这层材料作为MTM反熔丝的介质材料；D，对反熔丝介质层（5）进行SSE工艺处理，提高反熔丝介质层（5）的非晶化程度；E，进行第二阻挡层（6）淀积，所述第二阻挡层（6）为惰性金属，用于防止淀积的反熔丝介质层（5）与上层金属层（8）发生...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海铭，郑若成，王印权，郑良晨，洪根深，汤赛楠，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32