一种反熔丝结构制造技术

本发明专利技术涉及一种反熔丝结构，包括：相对设置的第一梳状金属件和第二梳状金属件，其中所述第一梳状金属件包含至少两个第一指状金属线，所述第二梳状金属件包含至少两个第二指状金属线，所述第一指状金属线和所述第二指状金属线并列间隔设置，其中所述第一指状金属线的内侧间隔设置有朝向所述第二指状金属线的多个凸起端。本发明专利技术通过将所述反熔丝结构设计为线对凸起端（line-to-tip）的结构或者凸起端对凸起端（tip-to-tip）的结构，可以优化编程条件，其中当所述凸起端的设置，在施加编程电压时，在所述凸起端附近的局部电场强度至少加倍，所述加强的电场强度使得在实现击穿时的时间至少减少88%，从而更快速、更容易的实现所述反熔丝结构的编程。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种反熔丝结构，包括：相对设置的第一梳状金属件和第二梳状金属件，其中所述第一梳状金属件包含至少两个第一指状金属线，所述第二梳状金属件包含至少两个第二指状金属线，所述第一指状金属线和所述第二指状金属线并列间隔设置，其中所述第一指状金属线的内侧间隔设置有朝向所述第二指状金属线的多个凸起端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31