硅通孔金属柱背面互联结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种硅通孔金属柱背面互联结构。
技术介绍
在硅通孔(through silicon via，TSV)工艺的背面凸块(bump)工艺中，常常采用传统bump的工艺，进行背面bump的加工，即硅基板背面焊锡球与硅通孔金属柱的接触面位于硅基板背面的表面，这种结构在外界压力下凸块很容易变形，致使凸块之间连通，进而导致产品性能失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硅通孔金属柱背面互联结构。本技术提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接；所述锡球结构环包设置在所述凸点下金属层上。本技术提供的硅通孔金属柱背面互联结构，在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。附图说明图1为本技术提供的一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图；图2为本技术提供的又一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图；图3为本技术提供的凸点下金属层结构的示意图。具体实施方式图1为本技术提供的一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图，如图1所示，该硅通孔金属柱背面互联结构具体包括：硅基板...
【技术保护点】
一种硅通孔金属柱背面互联结构，其特征在于，包括：硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接；所述锡球结构环包设置在所述凸点下金属层上。
【技术特征摘要】
1.一种硅通孔金属柱背面互联结构，其特征在于，包括：
硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述
硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述
硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接；所
述锡球结构环包设置在所述凸点下金属层上。
2.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面互联结构，其特征在于，在
所述硅基板背面且除所述凸点所在位置区域的剩余区域还设置有隔离层。
3.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面互联结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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