半导体晶圆的分断方法技术

本发明专利技术是关于一种能够不使用切割锯，而以简单的手法具效果地、且较完美地进行分断，并且能够进行薄板化的半导体晶圆的分断方法。借由使刻划轮(10)，沿分断预定线(L)一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线(S)，此时的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石(3)进行的研削而薄板化的半导体晶圆(W)的厚度全域的程度；接着，使半导体晶圆(W)表背面反转，对刻划线(S)形成面的相反侧的面利用研削磨石(3)进行研削而薄板化半导体晶圆(W)；接着，从刻划线(S)形成面的相反侧的面沿刻划线(S)以裂断杆(5)进行按压，借此使半导体晶圆(W)挠曲而使裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆(W)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种于表面形成有电子电路的硅等的半导体晶圆的分断方法，尤其是关于一种对成为母体的半导体晶圆，沿着区划于其表面所形成的多个电子电路的分断预定线进行分断，单片化成晶片尺寸的单位制品的半导体晶圆的分断方法。
技术介绍
被使用于各种半导体元件的制造的硅晶圆，从低电力、高积体化等的观点而言，被要求使其厚度变薄，而于最近则被要求使厚度变薄至25μm～50μm。对于将硅晶圆加工成较薄，一般是借由利用平坦的研削磨石对与形成有电子电路的面为相反侧的面进行研削而进行。然而，一旦使厚度变较薄，则因电子电路形成时的残留应力等的影响而导致扭曲产生。一旦欲对产生有扭曲的硅晶圆于分断步骤中进行分断，则将产生缺欠或不规则龟裂而成为不良品的原因。因此，在专利文献1等中，提及有在将硅晶圆研削加工成较薄之前，利用切割锯(dicing saw)的旋转刀片于硅晶圆的表面加工分断用的沟槽的技术(所谓的「先切割」)。图6，表示上述专利文献1等中所揭示的习知技术的说明图。首先，如图6(a)所示，在具有厚度的硅晶圆13的一面(电子电路形成面)的分断预定线上，利用切割锯的旋转刀片15研削加工分断用的沟槽14。沟槽14的深度，在下一步骤中借由研削磨石而研削成既定的厚度时，沟槽14成为未上下贯通的程度。接着，如图6(b)所示，于硅晶圆13的沟槽14加工面贴附保护片16，将该保护片16贴附面以成为下方的方式载置于台板19上，从上方利用粗研削用的研削磨石17进行研削，而如图6(c)所示般加工成既定的薄度。最后，如图6(d)所示，利用精细研削用的研削磨石18进行精细研削，借由研削去除沟槽14的残留的底部分而使沟槽14贯通从而分断硅晶圆13。另外，将借由研削磨石进行的研削作业分成二阶段而进行，是因为若在最初的粗研削阶段中研削至沟槽14开口，则将因颗粒粗的研削磨石17导致在沟槽14的开口缘产生缺欠等的损伤。在上述的习知的程序中，于硅晶圆加工分断用的沟槽时，使用有切割锯。切割锯，如专利文献2或专利文献3等中所揭示般，具备进行高速旋转的旋转刀片，且构成为一边对旋转刀片喷射洗净于旋转刀片的冷却与切削时所产生的切削屑的切削液一边进行切削。但是，在利用旋转刀片的切削进行的沟槽加工中，切削屑大量产生，即使例如已利用切削液洗净，但亦存在有切削液的一部分残留于沟槽内或沟槽形成面、或因切削时的飞散而使切削屑附着于硅晶圆等的情况，而成为品质或良率降低的较大原因。此外，由于必须有用于切削液的供给或废液回收的机构或配管，因此使得装置规模变大。此外，由于是借由切削而进行沟槽加工者，因此存在有于切削面或沟槽边缘产生小碎屑(缺欠)，而无法获得较完美的分断面的情况。此外，由于进行高速旋转的旋转刀片的刃前端是以锯齿状形成，因此刃前端的磨耗或破损容易产生而使用寿命较短。进一步地，由于旋转刀片的厚度从强度方面考量无法设成相当薄，而即使是小径者亦形成60μm以上的厚度，因此存在有相当于该刀片的宽度的切削宽度是必要的，且亦成为限制材料的有效利用的要因之一等问题点。进一步地，在习知的程序中，如图6所示般由于在利用粗研削磨石17研削硅晶圆13之后，用以使沟槽14贯通而利用精细磨石18再次进行研削，因此亦存在有研削屑等从已贯通的沟槽14侵入保护片16侧并残留的问题点。专利文献1：日本特开2003-017442号公报专利文献2：日本特开平5-090403号公报专利文献3：日本特开2002-224929号公报
技术实现思路
因此，本专利技术谋求上述的习知课题的解决，目的在于提供一种能够不使用切割锯，而以简单的手法具效果地、且较完美地进行分断，并且能够进行薄板化的半导体晶圆的分断方法。为了达成上述目的，在本专利技术中提出了如以下的技术性的手段。亦即，本专利技术的半导体晶圆的分断方法，是对于应进行加工的半导体晶圆的一面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断；借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮，沿该半导体晶圆的上面的分断预定线一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线，此时所形成的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度；接着，使该半导体晶圆表背面反转，对该刻划线形成面的相反侧的面利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆；接着，从刻划线形成面的相反侧的面沿该刻划线以裂断杆进行按压，借此使该半导体晶圆挠曲而使该裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆。在上述分断方法中，亦可于半导体晶圆形成有刻划线之后，于刻划线形成面贴附保护片，进行借由该研削磨石的研削。本专利技术的目的还采用以下技术方案来实现的。本专利技术的半导体晶圆的分断方法，是对于应进行加工的半导体晶圆的一面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断；借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮，沿该半导体晶圆的上面的分断预定线一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线，此时所形成的裂纹深度，成为浸透利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度；接着，于该刻划线形成面贴附保护片并使该半导体晶圆表背面反转，对该刻划线形成面的相反侧的面利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆的同时，沿该刻划线分断半导体晶圆。借由上述技术方案，本专利技术的半导体晶圆的分断方法至少具有下列优点及有益效果：根据本专利技术，由于是以刻划线的裂纹往厚度方向浸透的方式将半导体晶圆分断，因此能够抑制如在习知的利用切割锯进行的切削情形般产生碎屑等，能够以较完美的切断面分断，并且无需切割锯般的切削宽度，而能够有效利用材料。此外，由于不会在刻划线形成面产生切削屑，因此能够不使因切削屑的附着导致的品质劣化或不良品产生。尤其是在本专利技术中，并未如习知的切割锯般使用切削液，而是在干的环境下进行分断，因此具有可省略用于切削液的供给或废液回收的机构或配管，且亦可省略切断后的洗净或干燥步骤而能够精巧化地构成装置的效果。在上述分断方法中，亦可于半导体晶圆形成有刻划线之后，于刻划线形成面贴附保护片。借此，能够保护于刻划线形成面所加工成的电子电路，并且能够在使刻划线的裂纹往半导体晶圆的厚度全域浸透而分断时，使经分断的单位制品在已贴附于保护片的状态下不会分散地进行保持。在本专利技术中，亦可于利用该刻划轮进行的刻划线形成时，使刻划线的裂纹，成为浸透借由利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆的分断方法，是对于应进行加工的半导体晶圆的一面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断，其特征在于：借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮，沿该半导体晶圆的上面的分断预定线一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线，此时所形成的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度；接着，使该半导体晶圆表背面反转，对该刻划线形成面的相反侧的面利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆；接着，从刻划线形成面的相反侧的面沿该刻划线以裂断杆进行按压，借此使该半导体晶圆挠曲而使该裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆。

【技术特征摘要】
2013.08.29 JP 2013-1782571.一种半导体晶圆的分断方法，是对于应进行加工的半导体晶圆的一
面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断，其特征在
于：
借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮，沿该半导体晶圆的上面的分
断预定线一边进行按压一边转动，而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的
刻划线，此时所形成的裂纹深度，成为未浸透利用接下来的研削磨石进行
的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度；
接着，使该半导体晶圆表背面反转，对该刻划线形成面的相反侧的面
利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆；
接着，从刻划线形成面的相反侧的面沿该刻划线以裂断杆进行按压，
借此使该半导体晶圆挠曲而使该裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆。
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【专利技术属性】
技术研发人员：上村刚博，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP