【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体晶圆的清洗槽、及使用该清洗槽的贴合晶圆的制造方法，该贴合晶圆的制造方法是基于离子注入剥离法来实施；尤其涉及一种SOI晶圆的制造方法，该SOI晶圆被称为ETSOI(Extremely Thin SOI(Silicon On Insulator，绝缘层上覆硅)，极薄SOI)晶圆，其SOI层膜厚为30nm以下，且被要求在晶圆面内为±0.05nm的膜厚均匀性。
技术介绍
作为SOI晶圆的制造方法，尤其是可使尖端的集成电路的高性能化成为可能薄膜SOI晶圆的制造方法，一种制造SOI晶圆的方法(离子注入剥离法，也称为智能切割法(注册商标))备受瞩目，该方法将已进行离子注入的晶圆贴合后加以剥离来制造SOI晶圆。该离子注入剥离法，是在两片硅晶圆之中的至少其中一片上形成氧化膜，并自其中一片硅晶圆(接合晶圆，bonded wafer)的顶面注入氢离子或稀有气体离子等气体离子，而在晶圆内部形成离子注入层(也称为微小气泡层或封入层)。之后，使经注入离子的硅晶圆的面，隔着氧化膜而与另一片硅晶圆(基底晶圆，base wafer)密合，之后施加热处理(剥离热处理)，来使...
【技术保护点】
一种半导体晶圆的清洗槽，其将半导体晶圆浸泡于清洗液来进行清洗，该半导体晶圆的清洗槽的特征在于，具备：槽本体部，其由石英所构成，并贮存所述清洗液，且将多个所述半导体晶圆浸泡于所述清洗液中；溢流承接部，其由石英所构成，并设置于所述槽本体部的开口部的周围，且承接从所述槽本体部的开口部上端所溢流出来的所述清洗液；以及，隔热壁部，其设置于所述槽本体部的周围；并且，所述隔热壁部是不间断地包围着所述槽本体部，且在所述隔热壁部与所述槽本体部的侧壁之间形成有中空层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.27 JP 2014-0122671.一种半导体晶圆的清洗槽，其将半导体晶圆浸泡于清洗液来进行清洗，该半导体晶圆的清洗槽的特征在于，具备：槽本体部，其由石英所构成，并贮存所述清洗液，且将多个所述半导体晶圆浸泡于所述清洗液中；溢流承接部，其由石英所构成，并设置于所述槽本体部的开口部的周围，且承接从所述槽本体部的开口部上端所溢流出来的所述清洗液；以及，隔热壁部，其设置于所述槽本体部的周围；并且，所述隔热壁部是不间断地包围着所述槽本体部，且在所述隔热壁部与所述槽本体部的侧壁之间形成有中空层。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述隔热壁部是从所述溢流承接部向下方延伸而成。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述溢流承接部的底面是位于比所述被浸泡的半导体晶圆的上端更上方，并且，所述隔热壁部的下端是位于比所述被浸泡的半导体晶圆的下端更下方。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述隔热壁部的下部为开放状态。5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述隔热壁部的下部被封闭，且在所述隔热壁部上设置有通气孔。6.根据权利要求1～...
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