【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理，为实现吸力，将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置，设置一个向上的力，解理槽背面施加顶针、劈刀的顶力作用，即将支持件设计成左、中、右三个区域的长条块，中间区域将左右区域隔开，左、右内部挖空成一封闭腔室，侧壁打孔连接真空管，上表面打孔，用于样品的吸附，其中左表面与下表面平行，右表面与下表面夹角小于8°，中间区域为划片顶针平台，上表面预制顶针条上升的顶针孔，平台内部放置一排顶针组件，这排组件可以通过调节丝杠来控制顶针的上下运动，同时在平台定位边边缘预留出一定区域用于划片操作。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体材料的解理方法，尤其是涉及一种GaAs、InP等半导体材料的解理方法。
技术介绍
随着科技的发展和进步，光电器件的种类和用途越来越广泛，这其中就包括很多使用了半导体材料的光电器件，半导体材料诸如GaAs、InP等材料，在使用这些材料制造光电器件的工艺中，需要将GaAs、InP等材料进行解理，目前现有的GaAs、InP等材料的解理工艺，一般采用金刚刀切缺口后用滚轮滚动施加压力来完成裂开。但是这种解理的方式对于一些表面结构不耐压的器件来说，会有较大程度的机械损伤，同时滚轮直接接触芯片表面，裂片产生的碎屑易粘附在滚轮上，为此会带来一定程度的碎屑等沾污样品表面的可能。因此，寻找一种能够避免以上缺陷的解理方法成为目前最为迫切的需要。
技术实现思路
本专利技术提供，采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理，为实现吸力，将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置，设...
【技术保护点】
一种解理方法，采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理，为实现吸力，将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置，设置一个向上的力，解理槽背面施加顶针、劈刀的顶力作用，即将支持件设计成左、中、右三个区域的长条块，中间区域将左右区域隔开，左、右内部挖空成一封闭腔室，侧壁打孔连接真空管，上表面打孔，用于样品的吸附，其中左表面与下表面平行，右表面与下表面夹角小于8°，中间区域为划片顶针平台，上表面预制顶针条上升的顶针孔，平台内部放置一排顶针组件，这排组件可以通过调节丝杠来控制顶针的上下运动，同时在平台定位边边缘预留出一定区域用于划片操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王玉静，王玉芝，
申请(专利权)人：青岛康合伟业商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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