温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是一种MTM反熔丝制作方法。包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层上依次进行金属间介质层淀积和下层金属层淀积；B，进行第一阻挡层淀积；C，进行反熔丝介质层淀积；D，对反熔丝介质层进行SSE工艺处理，提高反熔...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。