具有熔丝结构的电子元件及其修复方法技术

本发明专利技术提供一种具有熔丝结构的电子元件及修复方法，所述电子元件包括基底；至少一导电层，形成于基底中或上，且具有熔丝区；以及至少一透镜，设置于导电层的熔丝区之上，其中透镜大抵与熔丝区对准，且透镜与熔丝区之间不设置有光学元件。本发明专利技术通过在电子元件的熔丝区与光束之间设置透镜，可使电子元件的电路修复或调整有效率地进行，并且晶片芯片尺寸及其中的电子元件的熔丝布局间距可缩小，用以产生光束的特殊设备花费也可减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有熔丝结构的电子元件，尤其涉及具有熔丝结构的电子元件的 修复方法。
技术介绍
半导体工艺技术的进展引人注目地缩小了集成电路(IC)元件的特征尺寸 (feature sizes)，同时增加了元件堆叠密度(device packing density)。不幸地，当集成 电路上的集成电路元件密度及分离的元件(discrete devices)数目增加时，许多集成电路 元件的合格率会减少。分离的元件数目增加而使合格率减少的集成电路元件例如是动态随 /L存取存fi者器(dynamic random accessmemory, DRAM)。一种用以抑制因分离的元件增加而使随机存取存储器元件(RAM device)的合格 率下降的方法提供额外的存储器单元行(additional rows of memorycells)，并将熔丝结 构(fuse structures)接入每一行中。目前，激光光束被用来使随机存取存储器元件(例 如，动态随机存取存储器或静态随机存取存储器元件)中的连接形成开路(即，破坏熔丝结 构)，使有缺陷的存储器单元行失去效用，并调整地址解码器(addres本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有熔丝结构的电子元件，包括：一基底；至少一导电层，形成于该基底中或上，且具有一熔丝区；以及至少一透镜，设置于该导电层的该熔丝区之上，其中该透镜大抵与该熔丝区对准，且该透镜与该熔丝区之间不设置有光学元件。

【技术特征摘要】
US 2009-11-25 12/626,0781.一种具有熔丝结构的电子元件，包括一基底；至少一导电层，形成于该基底中或上，且具有一熔丝区；以及至少一透镜，设置于该导电层的该熔丝区之上，其中该透镜大抵与该熔丝区对准，且该 透镜与该熔丝区之间不设置有光学元件。2.如权利要求1所述的具有熔丝结构的电子元件，还包括一开口，形成于该熔丝区之 中，其中该开口将该导电层分离为彼此电性绝缘的一第一部分与一第二部分，且设置于该 开口上的该透镜至少部分被损坏。3.如权利要求1所述的具有熔丝结构的电子元件，其中该透镜与该导电层的该熔丝区 直接接触。4.一种具有熔丝结构的电子元件，包括一基底；多个导电层，形成于该基底之中或上，且每一个所述导电层具有一熔丝区；以及多个透镜，分别设置于其中一个所述导电层的所述多个熔丝区之上，其中每一个所述 透镜大抵与对应的该熔丝区对准，且每一个所述透镜与对应的该熔丝区之间不设置有光学 元件。5.如权利要求4所述的具有熔丝结构的电子元件，还包括至少一开口，形成在至少一 个所述熔丝区之中，其中该开口将对应的该导电层分离为彼此电性绝缘的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明昇，彭成丰，张家福，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]