半导体装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素，不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，及于外延硅掺杂n型掺杂物。本发明专利技术通过不纯物元素能偶外延硅的成长速率，可减少硅表面上的掺杂毒化，并使浅沟槽隔离具有良好的选择性，从而使得外延硅中的缺陷因而减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种鳍式场效晶体管装置及 其制作方法。
技术介绍
随着半导体工业发展至纳米技术工艺，为追求更高的元件密度、效能和更低的成 本，制造和设计双重的挑战已促使三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(fin-like field effect transistor,以下可简称FinFET)。一般的鳍式场效晶体管由基底延伸而制作一薄 的“鳍”(或鳍结构)，蚀刻基底的硅层。场效晶体管的沟道形成于此垂直的鳍中。一栅极 提供于鳍的上方(例如包覆鳍)。该技术的好处在于沟道的两侧形成栅极，使栅极可由两侧 控制沟道。此外，此技术还包括以下优点减少短沟道效应和提供更高的电流。鳍式场效晶体管的制作已遭遇到许多问题，例如成长外延硅于部分的鳍上，以作 为部分的源/漏极图样，已受到目前制造技术各种工艺参数的不利影响。因此，需要改良半 导体工艺成长外延硅的方法。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种半导体装置的制作方法，包括提供一基底，形 成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分 上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置的制作方法，包括：提供一基底；形成多个鳍于该基底上方，该些鳍借由一隔离结构彼此隔离；形成一栅极结构于每个鳍的部分上方；分别于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；于每个鳍的暴露的部分外延成长硅，其中该外延工艺加入一不纯物元素，该不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群；及于该外延硅掺杂ｎ型掺杂物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏建彰，林宪信，郭紫微，陈冠宇，宋学昌，白易芳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71