【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Ｇｅ或ＳｉＧｅ纳米线场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：１）在衬底上先形成一绝缘层，再淀积一多晶硅薄膜，并对该多晶硅薄膜进行掺杂，然后光刻和刻蚀形成多晶硅栅；２）在多晶硅栅上采用高Ｋ材料形成栅介质层；３）在栅介质层上淀积一ＳｉＧｅ薄膜；４）对ＳｉＧｅ薄膜进行源漏掺杂；５）光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀ＳｉＧｅ薄膜，在多晶硅栅两侧形成ＳｉＧｅ侧墙，同时在栅长方向上ＳｉＧｅ侧墙的两头分别形成源区和漏区；６）对ＳｉＧｅ侧墙进行氧化，然后去掉表面形成的氧化层，得到Ｇｅ纳米线或Ｇｅ含量提高了的ＳｉＧｅ纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：艾玉杰，黄如，郝志华，浦双双，樊捷闻，孙帅，王润声，安霞，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11
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