半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一基板，具有一密封环区与一电路区；多个假栅极，位于该基板的该密封环区之上；以及一密封环结构，设置于该密封环区内的所述多个假栅极之上。该制造方法包括：提供一基板，具有一密封环区与一电路区；形成多个假栅极于该基板的该密封环区之上；以及形成一密封环结构于该密封环区内的所述多个假栅极之上。本发明专利技术可大体减少或消除密封环区内的碟化效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路的制作，尤其涉及具有密封环结构的。
技术介绍
于半导体集成电路的设计与封装中，有几个重要区域。需注意不能使得湿气 (moisture)进入至电路中，其由于(1)湿气可能为氧化物所捕捉而增加了氧化物的介电常数；(2)湿气可于栅氧化物中形成捕捉电荷，因而造成了互补型金属氧化物半导体晶体管中的临界电压偏移；C3)湿气可于硅栅氧化物界面处形成界面态(interface states), 进而增加了热电子可能性而造成了晶体管寿命的劣化；(4)湿气可于金属内连物内形成腐蚀，降低集成电路的可靠度；以及(5)当为硅氧化物所捕捉时，湿气会降低氧化物的机械强度而氧化物会因为拉伸应力而变的较易破裂。离子污染物(ionic contaminants)也会造成集成电路的毁损，其会快速扩散进入于氧化硅中。举例来说，离子污染物可造成互补型金属氧化物半导体(CM0Q晶体管内的临界电压的不稳定，以及改变了存在有离子污染物的硅表面的表面势能(surface potential) 0用于分隔相邻的集成电路的切割程序也会对集成电路造成可能的毁损情形。目前于业界中已使用了密封环(seal ring)以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：一基板，具有一密封环区与一电路区；多个假栅极，位于该基板的该密封环区之上；以及一密封环结构，设置于该密封环区内的所述多个假栅极之上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，杨宗颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71