具有调节接地节点的存储器单元、阵列及其存取方法技术

本发明专利技术涉及一种具有调节接地节点的存储器单元、阵列及其存取方法。本发明专利技术涉及存储器阵列的实施例，包括：配置在多个行和多个列中的多个存储器单元；其中此多个列中的一列包括列接地节点；至少二电压源配置为选择性地耦接至此列接地节点；以及具有多个内部接地节点的多个存储器单元，其中此多个内部接地节点电气耦接在一起并耦接至此列接地节点。本发明专利技术能够在各种操作模式中有效运作并节省功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，尤其涉及具有调节接地节点(regulated ground nodes)的存储器。
技术介绍
在先进技术(例如0. 13纳米工艺或小于0. 13纳米的工艺)中，噪声可大大影响静态随机存取存储器(static random access memory，以下简称为SRAM)的写入电压跳脱点(例如足以将数据写入节点的位元线上电压)，尤其是在低操作电压中(例如VCC较低电压0. 65V，相对于VCC标称电压0. 85V)。噪声限制SRAM操作电压的范围并增加功率消耗， 因为SRAM需要使用较高的供应电压VCC。为了改进这种情况，一种方法为在写入操作时使用具有负电压的位元线。尽管如此，此种方法有各种不同的缺点。例如需要电压帮浦电路以提供负电压。电压帮浦的机制通常并不省电，控制负电压的电压电平也不容易，并且因为顺向偏压而具有潜在风险，顺向偏压可造成从位元线到存储器中晶体管基底的漏电流，需要小心的处理并且造成在编译器中使用SRAM的困难。
技术实现思路
有鉴于此，本揭示的一实施例提供一种存储器通过调节接地节点，以便在各种操作模式中有效运作并节省功率。本揭示提供一种存储器阵列，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器阵列，包括：多个存储器单元，其配置于多个行以及多个列；其中上述多个列中的一列包括：一列接地节点；至少二个电压源，其被配置为选择性地耦接至上述列接地节点；以及多个存储器单元，其具有多个内部接地节点，上述内部接地节点互相电气耦接在一起并且电气耦接至上述列接地节点。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许国原，邓儒杰，陶昌雄，金荣奭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71