【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及集成电路，更具体地，涉及存储器。
技术介绍
传统的双端口存储器在一个端口处于写操作而另一个端口同时处于读操作的时候，会面临严重的最小VDD (最低工作电源电压)问题。在一些电路中，当字线上有时序偏差时，写操作就会失败，从而在写字线(A端口)和读字线(B端口)之间会出现时序重叠(读字线在写字线生效之后生效)。当两条字线同时生效(assert)时，写数据会被预充电中的读字线干扰。存储器的最小VDD也会受到通过两条字线在同一行中同步进行的A端口写访问和B端口读访问的限制。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出了一种存储器，包括存储器单元；与存储器单元相连接的第一字线；与存储器单元相连接的第二字线；与存储器单元相连接的第一位线；与存储器单元相连接的第二位线；以及写辅助单元，其中，当第一字线用于写操作、第二字线用于读操作、以及第一字线和第二字线同时生效时，写辅助单元被配置为将处于写操作中的第一位线的数据传送给处于读操作中的第二位线。此外，本专利技术还提出了一种方法，包括使与存储器单元相连接的第一字线生效， 用于进行写操作；使与存储器单元相连接的第二字线...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑞仁，吕绍维，罗国鸿，李坤锡，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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