半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法技术

本发明专利技术是有关于一种半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法。所述半导体组件包括多个组件内绝缘区以及多个半导体鳍部，其中前述组件内绝缘区具有第一高度，前述组件内绝缘区是将前述半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置。半导体鳍部的一部分是设于前述组件内绝缘区上。此半导体组件还包括第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区，且前述半导体鳍部是设于第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区之间。第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区的第二高度大于第一高度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体组件及其制造方法，特别是有关于一种鳍状场效晶体管及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路的尺寸不断缩减，不断增加对集成电路速度的要求，晶体管的尺寸必须缩小，具备的驱动电流必须更高。因此，发展出鳍状场效晶体管(Finfield-effect transistors ；FinFET)。鳍状场效晶体管提高通道宽度，其通道包括形成在鳍部(fin)侧壁上的通道，以及形成在鳍部上表面上的通道。由于晶体管的驱动电流与通道宽度是成比例的，因此鳍状场效晶体管的驱动电流也会提高。为了增大鳍状场效晶体管的通道宽度，鳍状场效晶体管可以包括多个鳍部，鳍部的末端连接至同一源极与同一漏极。在已知工艺中，多鳍状场效晶体管(multi-fin FinFET)可包括形成互为平行的多个鳍部，形成一栅极堆于前述鳍部上，以及互相连接前述鳍部的末端，以形成源极区与漏极区。之后可进行磊晶步骤以成长出半导体材料，使前述鳍部的末端互相合并为块状(block)源极与漏极区。然后，形成源极与漏极接触插塞，以连接至块状源极与漏极区。然而，此方法会遇到沟填的问题。举例而言，属于同一鳍状场效晶体管的鳍部之间的距离一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈振平，林惠敏，黄明杰，李东颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：