一种低漏电流的半导体致冷组件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低漏电流的半导体致冷组件，包括：冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在第一导流层和第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在第二导流层上的正极引出线和负极引出线，引出线位点位于第二导流层的某个边部，包括两个正极引出线位点和两个负极引出线位点，正极引出线焊接在两个正极引出线位点中较为远离某个边部的一个正极引出线位点上，负极引出线焊接在两个负极引出线位点中较为远离某个边部的一个负极引出线位点上。本实用新型专利技术的半导体致冷组件能够有效减少漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种低漏电流的半导体致冷组件。
技术介绍
半导体致冷又称为温差电致冷或热电致冷。具有热电能量转换特性的材料，在通过直流电时有致冷功能。总的热电效应由同时发生的五种不同的效应组成，它们是:赛贝克效应、珀尔帖效应、汤姆逊效应、焦耳效应和富里叶效应。图1为现有半导体致冷组件的结构图，图2为图1中A-A的剖面图。结合图1和图2所示，若干半导体致冷元件2焊接在若干导流片3上，形成了彼此相连的回路，图中，与半导体致冷元件2的上端相连接的若干导流片3构成第一导流层31，与半导体致冷元件2的下端相连接的若干导流片3构成第二导流层32，具体的，每一个导流片3上可以焊接两个半导体致冷元件2，因此，半导体致冷元件2排列成16行16列的矩阵结构，在一边的两端留出两个空位点，用于焊接负极引出线6和正极引出线5，两条引出线与导流片3的除焊接点51和61以外，均覆盖有绝缘皮，即正极引出线5上的绝缘皮末端端邻接焊接点51，负极引出线6上的绝缘皮的末端端邻接负极焊接点61。由于该绝缘皮末端均离热面瓷板4的边缘距离为1.2mm,由于瓷板厚度为0.7_，焊接两条引出线时由于受热，绝缘皮会出现微量收缩，收缩量约为0.5?1.0mm,因此其爬电距离为0.9?1.4mm，由于爬电距离较短，在高压测试时会出现0.3?0.4mA的漏电流，容易出现漏电流超标现象。
技术实现思路
本技术提供一种低漏电流的半导体致冷组件，包括:冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线。所述每个导流片设置有两个焊接位点，所有焊接位点在所述第一导流层和所述第二导流层上均呈矩阵分布，所述焊接位点包括用于焊接所述正极引出线和所述负极引出线的引出线位点、用于焊接所述半导体致冷元件的元件位点、以及留空的让位位点，其中，所述引出线位点位于所述第二导流层的某个边部，包括两个正极引出线位点和两个负极引出线位点，所述两个正极引出线位点沿所述正极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述正极引出线位点为第一正极引出线位点，远离所述某个边部的所述正极引出线位点为第二正极引出线位点；所述正极引出线焊接在所述第二正极引出线位点上；所述两个负极引出线位点沿所述负极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述负极引出线位点为第一负极引出线位点，远离所述某个边部的所述负极引出线位点为第二负极引出线位点，所述负极引出线焊接所述第二引出线位点上，所述让位位点位于所述第一导流层上与所述引出线位点的位置对应处。具体的，所述正极引出线上设置有第一绝缘皮，所述第一绝缘皮的末端邻接所述第二正极引出线位点；所述负极引出线上设置有第二绝缘皮，所述第二绝缘皮的末端邻接所述第二负极引出线位点。具体的，所述第一绝缘皮的末端和所述第二绝缘皮的末端均离所述边部的边缘的最大距离为3.6mm。本技术的低漏电流的半导体致冷组件，能够有效的增大绝缘皮与瓷板边缘的距离，从而增加爬电距离，有效的减少了放弧或漏电现象。【附图说明】图1为现有半导体致冷组件的结构图；图2为图1中A-A的剖面图；图3是本技术的低漏电流的半导体致冷组件的结构图；图4为图3中B-B的剖面图。【具体实施方式】以下结合图3?图4对本技术的低漏电流的半导体致冷组件做详细的说明。图3是本技术的低漏电流的半导体致冷组件的结构图；图4为图3中B-B的剖面图。如图所示，冷面瓷板I上设置有第一导流层31，该第一导流层31由若干导流片3构成，热面瓷板4上设置有第二导流层32，该第二导流层32也是由若干导流片3构成，每片导流片3上有两个焊接位点，因此焊接位点在两个导流层31和32上形成完全相同的矩阵结构，若干半导体致冷元件2焊接在第一导流层21和第二导流层32之间。另外，在第二导流层32的一边还焊接有两条引出线，分别为正极引出线5和负极引出线6，两条引出线上均设置有绝缘皮。具体的如图4所示，每个导流片3上具有两个位点，因此，半导体元件2在第一导流层31和第二导流层32之间排列形成了 16行16列的矩阵结构。在第二导流层32中，该矩阵结构的一边的两个端部分别空出了两个位点，用于焊接正极引出线5和负极引出线6。这两个位点均沿着引出线的长度的方向分布，在焊接正极引出线5—侧，远离边部的焊接位点51为第二正极引出线位点51，用于焊接正极引出线5，同样的，在焊接负极引出线6 —侦牝远离边部的焊接位点61为第二负极引出线位点61，用于焊接负极引出线6。具体参照图4，用于焊接正极引出线5的位置为矩阵的第I行第I列和第2列的两个位点，但正极引出线5与导流片3的实际焊接点为第I行第2列的那个位点，正极引出线5在该位点上还带有绝缘皮，该绝缘皮覆盖在引出线5上第二正极引出线位点51以外的位置，因此，绝缘皮的末端与第二正极引出线位点51相邻。同理，用于焊接负极引出线6的位置为矩阵的第16行第I列和第2列的两个位点，但负极引出线6与导流片3的实际焊接点为第16行第2列的那个位点，负极引出线6还覆盖有绝缘皮，同样绝缘皮的末端与第二负极引出线位点61相邻。因此，由于本技术的结构为上下对称，因此正极引出线5上的绝缘皮末端或负极引出线6上的绝缘皮的末端均离热面瓷板4边缘的最大距离为3.6mm，考虑焊接时的伸缩，爬电距离为3.3mm?3.8_。其平均漏电电流下降到0.1mA，与现有技术相比，有效的减少了高压漏电电流。【主权项】1.一种低漏电流的半导体致冷组件，包括:冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，其特征在于: 所述每个导流片设置有两个焊接位点，所有焊接位点在所述第一导流层和所述第二导流层上均呈矩阵分布，所述焊接位点包括用于焊接所述正极引出线和所述负极引出线的引出线位点、用于焊接所述半导体致冷元件的元件位点、以及留空的让位位点，其中， 所述引出线位点位于所述第二导流层的某个边部，包括两个正极引出线位点和两个负极引出线位点， 所述两个正极引出线位点沿所述正极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述正极引出线位点为第一正极引出线位点，远离所述某个边部的所述正极引出线位点为第二正极引出线位点；所述正极引出线焊接在所述第二正极引出线位点上； 所述两个负极引出线位点沿所述负极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述负极引出线位点为第一负极引出线位点，远离所述某个边部的所述负极引出线位点为第二负极引出线位点，所述负极引出线焊接所述第二引出线位点上， 所述让位位点位于所述第一导流层上与所述引出线位点的位置对应处。2.如权利要求1所述的低漏电流的半导体致冷组件，其特征在于，所述正极引出线上设置有第一绝缘皮，所述第一绝缘皮的末端邻接所述第二正极引出线位点；所述负极引出线上设置有第二绝缘皮，所述第二绝缘皮的末端邻接所述第二负极引出线位点。3.如权利要求2所述的低漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低漏电流的半导体致冷组件，包括：冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，其特征在于：所述每个导流片设置有两个焊接位点，所有焊接位点在所述第一导流层和所述第二导流层上均呈矩阵分布，所述焊接位点包括用于焊接所述正极引出线和所述负极引出线的引出线位点、用于焊接所述半导体致冷元件的元件位点、以及留空的让位位点，其中，所述引出线位点位于所述第二导流层的某个边部，包括两个正极引出线位点和两个负极引出线位点，所述两个正极引出线位点沿所述正极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述正极引出线位点为第一正极引出线位点，远离所述某个边部的所述正极引出线位点为第二正极引出线位点；所述正极引出线焊接在所述第二正极引出线位点上；所述两个负极引出线位点沿所述负极引出线的长度方向分布，靠近所述某个边部的所述负极引出线位点为第一负极引出线位点，远离所述某个边部的所述负极引出线位点为第二负极引出线位点，所述负极引出线焊接所述第二引出线位点上，所述让位位点位于所述第一导流层上与所述引出线位点的位置对应处。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁志海，曹茜，
申请(专利权)人：香河华北致冷设备有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13