本实用新型专利技术提供一种高效率半导体致冷组件，包括：冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，所述半导体致冷元件的数量为161。本实用新型专利技术的高效率半导体致冷组件能够大幅度提高致冷效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高效率半导体致冷组件。
技术介绍
半导体致冷又称为温差电致冷或热电致冷。具有热电能量转换特性的材料，在通过直流电时有致冷功能。总的热电效应由同时发生的五种不同的效应组成，它们是:赛贝克效应、珀尔帖效应、汤姆逊效应、焦耳效应和富里叶效应。图1为现有半导体致冷组件的结构图，图2为现有半导体致冷组件的结构分解图。现有的半导体致冷组件为多个N型半导体元件和P型半导体元件串联而成的回路，如图2所示，现有的半导体致冷组件的结构从上到下为冷面瓷板1、由127片导流片3构成的第一导流层、若干半导体致冷元件2、由127片导流片3构成的第二导流层以及热面瓷板4，另外引出两条引出线，分别为正极引出线5和负极引出线6。图3为现有半导体致冷组件中，致冷元件的平面图。如图所示，由于每片导流片3上具备2个焊接位点21，且第一导流层和第二导流层上的形成的焊接位点完全对应，两个导流层上的焊接位点形成完全相同的16行16列的矩阵，现有的半导体致冷组件具有127对致冷元件2，焊接在该焊接位点21上，形成P型半导体元件和N型半导体元件相互串联的结构，在第二导流层的一边的两个端的位点上，分别焊接有在正极引出线5和负极引出线6，其他位点上设置有半导体致冷元件2，因此现有技术中半导体致冷元件2 —共为127对，计算方法为(16*16-2)/2，最大工作电压为15.4V，一般正常使用时输入电压为12VDC。当工作在12V直流电压环境下时，电流为4.25A，致冷功率为37.7W，因此致冷效率为73.9%，计算公式为*100%。致冷效率较低。
技术实现思路
本技术鉴于上述技术缺陷，提供一种高效率半导体致冷组件，能够大幅度提高致冷效率。本技术涉及一种高效率半导体致冷组件，包括:冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线。其中，所述每个导流片上设置有两个焊接位点，所述第一导流层和所述第二导流之间上的所示焊接位点相对应，形成为18行18列的矩阵结构；在所述第二导流层中，其一边的两端的所述焊接位点上分别引出正极引出线和负极引出线；在其他设置在所述第一导流层和所述第二导流层上的相对应的所述焊接位点上，分别焊接有半导体致冷元件，所述半导体致冷元件的数量为161对，从而形成161个P型半导体致冷元件和161个N型半导体致冷元件相串联的结构。利用本技术的高效率半导体致冷组件，与现有的半导体致冷组件相比，在相同的工作电压下，能够大幅度提高致冷效率。【附图说明】图1为现有半导体致冷组件的结构图；图2为现有半导体致冷组件的结构分解图；图3为现有半导体致冷元件的排列结构图；图4为本技术的高效率半导体致冷组件的结构图图5为图4中A-A的剖面图。【具体实施方式】以下接合附图对本技术的高效率半导体致冷组件做详细说明。本技术的高效率半导体致冷组件是在现有技术上做出的改进，其结构如图4所示，从上到下分别为冷面瓷板1、由导流片3构成的第一导流层、若干半导体致冷元件2、由导流片3构成的第二导流层以及热面瓷板4，其中A-A剖面图如图5所示。由于每个导流片3上有两个焊接位点，因此第二导流层上的焊接位点为18行18列的矩阵结构，其中一边的两端的位点上，分别焊接了正极引出线5和负极引出线6 ;同理，第一导流层上的焊接位点与第二导流层相同，为完全相同的18行18列的矩阵结构，且与第二导流层上的焊接位点呈一一对应的结构。161对半导体致冷元件2的一端分别焊接在第二导流层上除焊接有引出线的焊接位点上，另一端分别焊接在第一导流层上所对应的焊接位点上，同样成P型半导体元件和N型半导体元件相串联的结构。因此半导体致冷元件2的数量为161对，计算方法为(18*18-2)/2。第一导流层中导流片3的数量为161个，第二导流层中导流片3的数量为161个，与半导体致冷元件2的对数相等。本技术的高效率半导体致冷组件的工作电压为12VDC时的电流为3.65A，致冷功率为41.2W，因此其致冷效率为94%，计算方法为 *100 %。比现有技术的半导体致冷组件的致冷效率提高了 20%。从而实现了节能环保，减少了用户的运行成本。【主权项】1.一种高效率半导体致冷组件，包括:冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，其特征在于: 所述每个导流片上设置有两个焊接位点，所述第一导流层和所述第二导流之间上的所示焊接位点均形成有呈18行18列的矩阵结构，且所述第一导流层上的所述焊接位点与所述第二导流层上的所述焊接位点一一对应； 在所述第二导流层中，其一边的两端的所述焊接位点上分别引出正极引出线和负极引出线； 所述若干半导体致冷元件的一端分别焊接在所述第二导流层中除焊接有所述正极引出线和所述负极引出线的焊接位点上，另一端分别焊接在所对应的所示第一导流层上的焊接位点上；所述半导体致冷元件的数量为161对。2.如权利要求1所述的高效率半导体致冷组件，其特征在于，所述第一导流层的导流片数量为161个；所述第二导流层的导流片的数量为161个。【专利摘要】本技术提供一种高效率半导体致冷组件，包括：冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，所述半导体致冷元件的数量为161。本技术的高效率半导体致冷组件能够大幅度提高致冷效率。【IPC分类】F25B21/02【公开号】CN204787402【申请号】CN201520474855【专利技术人】丁志海, 曹茜 【申请人】香河华北致冷设备有限公司【公开日】2015年11月18日【申请日】2015年7月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高效率半导体致冷组件，包括：冷面瓷板；设置在冷面瓷板上的若干导流片构成的第一导流层；热面瓷板；设置在所述热面瓷板上的若干导流片所构成的第二导流层；焊接在所述第一导流层和所述第二导流层之间的，用于致冷的若干半导体致冷元件；焊接在所述第二导流层上的正极引出线和负极引出线，其特征在于:所述每个导流片上设置有两个焊接位点，所述第一导流层和所述第二导流之间上的所示焊接位点均形成有呈18行18列的矩阵结构，且所述第一导流层上的所述焊接位点与所述第二导流层上的所述焊接位点一一对应；在所述第二导流层中，其一边的两端的所述焊接位点上分别引出正极引出线和负极引出线；所述若干半导体致冷元件的一端分别焊接在所述第二导流层中除焊接有所述正极引出线和所述负极引出线的焊接位点上，另一端分别焊接在所对应的所示第一导流层上的焊接位点上；所述半导体致冷元件的数量为161对。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁志海，曹茜，
申请(专利权)人：香河华北致冷设备有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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