【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及半导体致冷件
，名称是一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是：所述的瓷板的宽度是10厘米，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度是1.8毫米，所述的瓷板的长度是12—14厘米，这样的致冷件具有致冷效率更高、能够满足大功率要求的优点。【专利说明】一种大功率半导体致冷件
本技术涉及半导体致冷件
。
技术介绍
半导体致冷件包括瓷板和晶粒，现有技术的瓷板最大的长度是8厘米，晶粒的长度是5毫米，使用这样的瓷板和晶粒制成的致冷件具有致冷效率低的缺点，不能满足一些大功率致冷件的要求。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述缺点，提供致冷效率更高、能够满足大功率要求的致冷件——一种大功率半导体致冷件。 本技术的技术方案是这样实现的:一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是:所述的瓷板的宽度是10厘米。 最佳的配合是，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度是1.8毫米。 进一步地讲，所述的瓷板的长度是12 —14厘米。 本技术的有益效果是:这样的致冷件具有致冷效率更高、能够满足大功率要求的优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 其中:1、瓷板 2、晶粒 。 L一瓷板的宽度； D一晶粒的长度和宽； K 一瓷板的长度。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步说明。 如图1所示，一种大功率半导体致冷件，包括瓷板I和晶粒2，其特征是:所述的瓷板的宽度L是10厘米。 最佳的配合是，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度...
【技术保护点】
一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是：所述的瓷板的宽度是10厘米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，刘栓红，赵丽萍，钱俊有，张文涛，蔡水占，郭晶晶，张会超，陈永平，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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