半导体致冷件的制造方法技术

本发明专利技术涉及致冷件制造技术领域，半导体致冷件的制造方法，半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，瓷板的上面有一层金属化层，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，所述的金属化层上还有一层金属镧的化合物，所述的金属镧的化合物是指氧化镧、碳酸镧、硝酸镧，所述的一层金属镧的化合物的厚度是1-3丝，所述的一层金属镧的化合物的厚度是2丝，使得这样生产出的半导体致冷件具有焊接牢固、晶粒不易脱落、经久耐用、不易损坏的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及致冷件制造
，特别是涉及半导体致冷件的制造方法。
技术介绍
半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，瓷板的主要成分是95％氧化铝，它起电绝缘、导热和支撑的作用，它的上面有一层金属化层，晶粒的主要成分是碲化鉍，它是致冷组件的主功能部件，晶粒通过锡焊接在瓷板的金属化层上。现有技术中，晶粒是直接焊接在瓷板的金属化层上的，这样制成的半导体致冷件就存在晶粒和瓷板焊接不牢、晶粒容易从瓷板上脱落、产品不能经久耐用、容易损坏的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种焊接牢固、晶粒不易脱落、经久耐用、不易损坏的半导体致冷件的制造方法。本专利技术的技术方案是这样实现的：半导体致冷件的制造方法，半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，瓷板的上面有一层金属化层，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的金属化层上还有一层金属镧的化合物。较好的，所述的金属镧的化合物是指氧化镧、碳酸镧、硝酸镧。较好的，所述的一层金属镧的化合物的厚度是1—3丝。最好的，所述的一层金属镧的化合物的厚度是2丝。本专利技术的有益效果是：本专利技术由于采取了上述的技术方案，使得这样生产出的半导体致冷件具有焊接牢固、晶粒不易脱落、经久耐用、不易损坏的优点；所述的金属镧的化合物是指氧化镧、碳酸镧、硝酸镧，所述的一层金属镧的化合物的厚度是1—3丝，可以取得更好的效果，所述的一层金属镧的化合物的厚度是2丝，效果最佳。具体实施方式下面结合实施例本专利技术作进一步说明。以下各实施例都是选用侧面是10mm×10mm的晶粒，晶粒的一侧是焊接面，在晶粒的另一侧用502粘接一个绳子作为拉扯件，所使用的瓷板是相同的型号。实施例1将晶粒直接焊接在瓷板上，制成第一半导体致冷件产品A。固定第一半导体致冷件产品A，拽拉拉扯件，190牛顿的力可以使晶粒从瓷板上分离。实施例2首先在瓷板上涂覆一层氧化镧的水溶液，干燥，使氧化镧的厚度控制在1丝，将晶粒直接焊接在瓷板上，制成第二半导体致冷件产品B。固定第二半导体致冷件产品B拽拉拉扯件，280牛顿的力可以使晶粒从瓷板上分离。实施例3首先在瓷板上涂覆一层氧化镧的水溶液，干燥，使氧化镧的厚度控制在3丝，将晶粒直接焊接在瓷板上，制成第三半导体致冷件产品C。固定第三半导体致冷件产品C，拽拉拉扯件，260牛顿的力可以使晶粒从瓷板上分离。实施例4首先在瓷板上涂覆一层氧化镧的水溶液，干燥，使氧化镧的厚度控制在2丝，将晶粒直接焊接在瓷板上，制成第四半导体致冷件产品D。固定第四半导体致冷件产品D，拽拉拉扯件，340牛顿的力可以使晶粒从瓷板上分离。以上实施例2、实施例3、实施例4换用碳酸镧、硝酸镧得到相同的结论，即涂覆有碳酸镧、硝酸镧或氧化镧的瓷板制成的半导体致冷件拉扯分离力显著提高，并且在涂层厚度是2丝的情况下拉扯分离力最大。换用其他含有镧粒子的盐结论相同。以上实施例2、实施例3、实施例4还可以用甘油将氧化镧、碳酸镧、硝酸镧调制成糊状，涂抹在瓷板焊接处的表面，干燥，然后焊接，得到同样的结论，即拽拉拉扯件，较大的力才能使晶粒从瓷板上分离。所述的一层金属镧的化合物的厚度是1—3丝可以从这些混合物的用量和涂覆面积上计算得到。以上所述仅为本专利技术的部分具体实施例，专利技术人还做了许多类似的实验，得到相同的结论，在生产中，这样焊接晶粒生产出的半导体致冷件显著提高，因为开焊而导致的质量问题只有1%，比直接焊接的提高3个百分点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体致冷件的制造方法，半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，瓷板的上面有一层金属化层，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的金属化层上还有一层金属镧的化合物。

【技术特征摘要】
1.半导体致冷件的制造方法，半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，瓷板的上面有一层金属化层，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的金属化层上还有一层金属镧的化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体致冷件的制造方法，其特征是：所述的金属镧的化合物是指...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，刘栓红，赵丽萍，张文涛，蔡水占，郭晶晶，张会超，陈永平，王东胜，惠小青，辛世明，田红丽，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41