一种半导体致冷器驱动电路，包括晶体三极管,MOS管，第一、二、三、四、五电阻，二极管，光电池，半导体致冷器；第一电阻一端与控制电压连接，另一端与第二电阻一端、晶体三极管基极连接，第二电阻另一端与第三电阻一端、晶体三极管发射极连接，晶体三极管集电极与电源V+连接，第三电阻另一端与二极管阴极、光电池第一脚连接，二极管阳极、光电池第二脚接地，光电池第五脚与第四电阻一端、MOS管栅极连接，光电池第八脚与第四电阻另一端、MOS管源极和半导体致冷器一端连接，MOS管漏极与电源VL连接，半导体致冷器另一端与第五电阻一端连接，第五电阻第二端接地。本实用新型专利技术提高了控温精度。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体致冷器驱动电路。
技术介绍
在半导体致冷器控温电路中，经常使用继电器控制半导体致冷器的温度，继电器的使用寿命只有10万次，在连续使用的场合，继电器很快就会失效，而且继电器响应速度慢，不能在半导体致冷器精密控温电路中使用。功率M0S管具有响应速度快、使用寿命长、可靠性高的特点，使用功率M0S管驱动半导体致冷器，可以实现半导体致冷器致冷温度的精密控制。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种半导体致冷器驱动电路，用于解决半导体致冷器致冷温度精密控制的驱动问题。本技术所采用的技术如下:一种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动M0S管的光电池电路，驱动半导体致冷器的M0S管电路和半导体致冷电路。光电池的控制驱动电路包括第一电阻，第二电阻，第三电阻和晶体三极管，第一电阻的一端与控制电压连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端、晶体三极管的基极连接，第二电阻的另一端与第三电阻的一端、晶体三极管发射极连接，晶体管的集电极与电源V+连接。驱动M0S管的光电池电路包括光电池，二极管和第四电阻，光电池的第一脚与第三电阻的另一端、二极管的阴极连接，光电池的第二脚与二极管的阳极连接并接地，光电池的第五脚与M0S管栅极、第四电阻的一端连接，光电池的第八脚与M0S管源极、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。驱动半导体致冷器的M0S管电路包括功率M0S管，M0S管栅极与光电池的第五脚、第四电阻的一端连接，M0S管漏极与电源VL连接，M0S管源极与光电池的第八脚、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。半导体致冷电路包括半导体致冷器和第五电阻，半导体致冷器的一端与M0S管源极、光电池的第八脚、第四电阻的另一端连接，半导体致冷器的另一端与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端接地。本技术使用光电池驱动功率M0S管可以实现控制电路与执行电路的隔离，提高了控温精度，光电池可以输出较高的电压驱动功率M0S管，简化了 M0S管驱动电路，同时温控电路可以长期连续工作，提高了系统的可靠性，降低了维修成本。【附图说明】图1是本技术半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理框图。图2是本技术半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理图。【具体实施方式】下面根据附图举例对本技术作进一步的说明:实施例1—种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动M0S管的光电池电路，驱动半导体致冷器的M0S管电路和半导体致冷器。光电池的控制驱动电路包括第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3和晶体三极管Q1，第一电阻R1的一端与控制电压连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、晶体三极管Q1的基极连接，第二电阻R2的另一端与第三电阻R3的一端、晶体三极管Q1发射极连接，晶体管Q1的集电极与电源V+连接。驱动M0S管的光电池电路包括光电池U1，二极管D1和第四电阻R4，光电池U1的第一脚与第三电阻R3的另一端、二极管D1的阴极连接，光电池U1的第二脚与二极管D1的阳极连接并接地，光电池U1的第五脚与M0S管Q2栅极、第四电阻R4的一端连接，光电池U1的第八脚与M0S管Q2源极、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。驱动半导体致冷器的M0S管电路包括功率M0S管Q2，M0S管Q2栅极与光电池U1的第五脚、第四电阻R4的一端连接，M0S管Q2漏极与电源VL连接，M0S管Q2源极与光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。半导体致冷电路包括半导体致冷器ZLQ和第五电阻R5，半导体致冷器ZLQ的一端与M0S管Q2源极、光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端连接，半导体致冷器ZLQ的另一端与第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端接地；第一电阻R1的阻值大小为1千欧，第二电阻R2的阻值大小为430千欧，第三电阻R3的阻值大小为430欧，第四电阻R4的阻值大小为10兆欧，第五电阻R5的阻值大小为0.1欧，二极管D1为1N4148 二极管，晶体三极管Q1采用S9013，功率M0S管Q2采用IRFP044，光电池U1采用LH1262，输出电压14V的光电池，半导体致冷器ZLQ为三级致冷，最大致冷电流为1A，控制电路供电电源V+为12V，制冷电源VL为7V。本技术的半导体致冷器驱动电路，采用分立电子元器件搭建，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三极管Q1组成光电池驱动电路，控制信号VK为高电平时，该驱动电路为光电池提供10毫安的驱动电流，激活光电池，光电池输出电压为14V，功率M0S管导通，半导体致冷器致冷，控制信号为低电平时，驱动光电池的电流为零，光电池输出电压为零，功率M0S管截止，半导体致冷器停止致冷，实现了半导体致冷器的温度控制，第四电阻R4是功率M0S管Q2的栅极电阻，第五电阻R5是采样电阻，系统可以根据R5两端电压换算成的致冷电流值，供给致冷电流限流保护电路使用。【主权项】1.一种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动MOS管的光电池电路，驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷电路，其特征在于: 所述的光电池的控制驱动电路包括第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)和晶体三极管(Q1)，第一电阻(R1)的一端与控制电压连接，第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端、晶体三极管(Q1)的基极连接，第二电阻(R2)的另一端与第三电阻(R3)的一端、晶体三极管(Q1)发射极连接，晶体管(Q1)的集电极与电源V+连接； 所述的驱动MOS管的光电池电路包括光电池(U1)，二极管(D1)和第四电阻(R4)，光电池(U1)的第一脚与第三电阻(R3)的另一端、二极管(D1)的阴极连接，光电池(U1)的第二脚与二极管(D1)的阳极连接并接地，光电池(U1)的第五脚与MOS管(Q2)栅极、第四电阻(R4)的一端连接，光电池(U1)的第八脚与MOS管(Q2)源极、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接； 所述的驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管(Q2)，M0S管(Q2)栅极与光电池(U1)的第五脚、第四电阻(R4 )的一端连接，MOS管(Q2 )漏极与电源VL连接，MOS管(Q2 )源极与光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接；所述的半导体致冷电路包括半导体致冷器(ZLQ)和第五电阻(R5)，半导体致冷器(ZLQ)的一端与MOS管(Q2)源极、光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端连接，半导体致冷器(ZLQ)的另一端与第五电阻(R5)的一端连接，第五电阻(R5)的另一端接地。【专利摘要】一种半导体致冷器驱动电路，包括晶体三极管,MOS管，第一、二、三、四、五电阻，二极管，光电池，半导体致冷器；第一电阻一端与控制电压连接，另一端与第二电阻一端、晶体三极管基极连接，第二电阻另一端与第三电阻一端、晶体三极管发射极连接，晶体三极管集电极与电源V+连接，第三电阻另一端与二极管阴极、光电池第一脚连接，二极管阳极、光电池第二脚接地，光电池第五脚与第四电阻一端、MOS管栅极连接，光电池第八脚与第四电阻另一端、MOS管源极和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动MOS管的光电池电路，驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷电路，其特征在于：所述的光电池的控制驱动电路包括第一电阻（R1），第二电阻（R2），第三电阻（R3）和晶体三极管（Q1），第一电阻（R1）的一端与控制电压连接，第一电阻（R1）的另一端与第二电阻（R2）的一端、晶体三极管（Q1）的基极连接，第二电阻（R2）的另一端与第三电阻（R3）的一端、晶体三极管（Q1）发射极连接，晶体管（Q1）的集电极与电源V+连接；所述的驱动MOS管的光电池电路包括光电池（U1），二极管（D1）和第四电阻（R4），光电池（U1）的第一脚与第三电阻（R3）的另一端、二极管（D1）的阴极连接，光电池（U1）的第二脚与二极管（D1）的阳极连接并接地，光电池（U1）的第五脚与MOS管（Q2）栅极、第四电阻（R4）的一端连接，光电池（U1）的第八脚与MOS管（Q2）源极、第四电阻（R4）的另一端、半导体致冷器（ZLQ）的一端连接；所述的驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管（Q2），MOS管（Q2）栅极与光电池（U1）的第五脚、第四电阻（R4）的一端连接，MOS管（Q2）漏极与电源VL连接，MOS管（Q2）源极与光电池（U1）的第八脚、第四电阻（R4）的另一端、半导体致冷器（ZLQ）的一端连接；所述的半导体致冷电路包括半导体致冷器（ZLQ）和第五电阻（R5），半导体致冷器（ZLQ）的一端与MOS管（Q2）源极、光电池（U1）的第八脚、第四电阻（R4）的另一端连接，半导体致冷器（ZLQ）的另一端与第五电阻（R5）的一端连接，第五电阻（R5）的另一端接地。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王明波，
申请(专利权)人：哈尔滨新世科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23
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