本实用新型专利技术公开了一种半导体致冷器的温度控制电路。其中，半导体致冷器的温度控制电路包括温度检测模块、信号放大模块、直流电源转换模块以及半导体致冷器模块；所述温度检测模块通过所述信号放大模块连接所述直流电源转换模块，所述直流电源转换模块还连接所述半导体致冷器模块；所述温度检测模块用于监测温度，向所述信号放大模块输入所述温度对应的电压值；所述直流电源转换模块用于根据所述信号放大模块输入的放大后的所述温度对应的电压值，向所述半导体致冷器模块输出控制电压，以使所述半导体致冷器模块调节温度。通过上述方式，本实用新型专利技术能够根据被测物体的环境温度调节半导体致冷器需要降低的温度值，能够提高电源转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及领域，特别是涉及一种半导体致冷器的温度控制电路。
技术介绍
Tec (ThermoelectricCooler)即半导体致冷器，半导体致冷器的制冷原理为:利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。Tec通常用于解决散热问题。目前Tec控制温度的方法通常采用专用的Tec芯片控制温度，然而Tec芯片的成本较高，并且电源转换效率较低。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种半导体致冷器的温度控制电路，能够提高电源转换效率。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是:提供一种半导体致冷器的温度控制电路，所述半导体致冷器的温度控制电路包括温度检测模块、信号放大模块、直流电源转换模块、以及半导体致冷器模块；所述温度检测模块通过所述信号放大模块连接所述直流电源转换模块，所述直流电源转换模块还连接所述半导体致冷器模块；所述温度检测模块用于监测温度，向所述信号放大模块输入所述温度对应的电压值，以使所述信号放大模块对所述温度对应的电压值进行放大，并向所述直流电源转换模块输出放大后的所述温度对应的电压值；所述直流电源转换模块用于根据所述信号放大模块输入的放大后的所述温度对应的电压值，向所述半导体致冷器模块输出控制电压，以使所述半导体致冷器模块调节温度。其中，所述直流电源转换模块至少包括直流电源转换芯片、第一分压电阻、第二分压电阻；所述直流电源转换芯片包括电源输入端、反馈端以及输出端，所述半导体致冷器模块至少包括半导体致冷器；所述电源输入端连接电源，所述反馈端连接所述第一分压电阻的一端、所述第二分压电阻的一端以及所述信号放大模块，所述第一分压电阻的另一端连接所述输出端以及所述半导体致冷器的一端，所述第二分压电阻的另一端接地；所述半导体致冷器的另一端接地。其中，所述直流电源转换模块还包括滤波单元，所述滤波单元包括第一电感以及第一极性电容，所述滤波单元的一端连接所述直流电源转换芯片的输出端，所述滤波单元的另一端连接所述半导体致冷器的一端；其中，所述第一电感的一端连接所述直流电源转换芯片的输出端，所述第一电感的另一端连接所述第一极性电容的正极以及所述半导体致冷器的一端，所述第一极性电容的负极接地。其中，所述直流电源转换模块还包括二极管，所述二极管的正极接地，所述二极管的负极连接所述直流电源转换芯片的输出端。其中，所述信号放大模块包括运算放大器，所述运算放大器的输入端连接温度检测模块，所述运算放大器的输出端连接所述直流电源转换模块的反馈端。其中，所述信号放大模块还包括去耦单元，所述去耦单元包括去耦电阻以及去耦电容，所述去耦电阻以及所述去耦电容并联，并跨接在所述运算放大器的负极性输入端以及输出端。其中，所述信号放大模块还包括限流电阻，所述限流电阻的一端连接所述信号放大模块的输出端，所述限流电阻的另一端连接所述直流电源转换模块的反馈端。其中，温度检测模块包括热敏电阻、第三分压电阻、第四分压电阻以及电位器，所述热敏电阻的一端连接所述第三分压电阻的一端以及所述信号放大模块的正极性输入端，所述第三分压电阻的另一端连接电源，所述热敏电阻的另一端连接所述电位器的第一端并接地，所述电位器的第二端连接所述信号放大模块的负极性输入端，所述电位器的第三端连接所述第四分压电阻的一端，所述第四分压电阻的另一端连接电源。其中，所述直流电源转换芯片的输出端输出的电压值为所述第一分压电阻值与所述第二分压电阻值之和，除以所述第二分压电阻值，并乘以所述直流电源转换芯片的反馈系数。其中，所述去耦单元的去耦电阻的阻值为100K欧姆，所述去耦电容的容置为100纳法。本技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本技术通过温度检测模块监测被测物体周围的温度，直流电源转换模块根据检测到的温度向半导体致冷器模块输出控制电压，从而控制半导体致冷器模块将被测物体周围的温度调节到控制电压对应的温度值，以使得被测物体周围的温度能够维持在恒定范围内。由于半导体致冷器的温度控制电路能够根据被测物体的环境温度调节半导体致冷器模块需要降低的温度值，能够提高电源转换效率。【附图说明】图1是本技术半导体致冷器的温度控制电路一实施例的结构示意图；图2是本技术半导体致冷器的温度控制电路一实施例的电路图。【具体实施方式】以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。请参阅图1，图1是本技术半导体致冷器的温度控制电路一实施例的结构示意图。半导体致冷器的温度控制电路用于根据被测物体周围的温度进行制冷降温。本技术半导体致冷器的温度控制电路包括:温度检测模块110、信号放大模块120、直流电源转换模块130以及半导体致冷器模块。温度检测模块110通过信号放大模块120连接直流电源转换模块130，直流电源转换模块130还连接半导体致冷器模块140。温度检测模块110用于监测温度，向信号放大模块120输入温度对应的电压值，以使信号放大模块120对温度对应的电压值进行放大，并向直流电源转换模块130输出放大后的温度对应的电压值。直流电源转换模块130用于根据信号放大模块120输入的放大后的温度对应的电压值，向半导体致冷器模块140输出控制电压，以使半导体致冷器模块140调节温度。具体地，当半导体致冷器的温度控制电路正常工作后，温度检测模块110监测被测物体周围的温度，并将被测物体周围的温度对应的电压值输入信号放大模块120。信号放大模块120将温度检测模块110输入的温度对应的电压值进行放大，并向直流电源转换模块130输入放大后的电压值，以使直流电源转换模块130根据信号放大模块120输入的电压值，向半导体致冷器模块140输出控制电压，从而控制半导体致冷器模块140工作，使半导体致冷器模块140将被测物体周围的温度调节到控制电压对应的温度值，进而使得被测物体周围的温度能够维持在恒定范围内。其中，当温度检测模块110当前监测到的温度比上一次监测到的温度变高时，直流电源转换模块130向半导体致冷器模块140输出的控制电压对应的需要降低的温度值较大，制冷强度大。当温度检测模块110当前监测到的温度比上一次监测到的温度变低时，直流电源转换模块130向半导体致冷器模块140输出的控制电压对应的需要降低的温度值较小，制冷强度较小。上述方案，半导体致冷器的温度控制电路通过温度检测模块监测被测物体周围的温度，直流电源转换模块根据检测到的温度向半导体致冷器模块输出控制电压，从而控制半导体致冷器模块将被测物体周围的温度调节到控制电压对应的温度值，以使得被测物体周围的温度能够维持在恒定范围内。由于半导体致冷器的温度控制电路能够根据被测物体的环境温度调节半导体致冷器模块需要降低的温度值，能够提高电源转换效率。请一并参阅图2，图2是本技术半导体致冷器的温度控制电路一实施例的电路当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体致冷器的温度控制电路，所述半导体致冷器的温度控制电路包括半导体致冷器模块，其特征在于，所述半导体致冷器的温度控制电路还包括直流电源转换模块、信号放大模块、温度检测模块；所述温度检测模块通过所述信号放大模块连接所述直流电源转换模块，所述直流电源转换模块还连接所述半导体致冷器模块；所述温度检测模块用于监测温度，向所述信号放大模块输入所述温度对应的电压值，以使所述信号放大模块对所述温度对应的电压值进行放大，并向所述直流电源转换模块输出放大后的所述温度对应的电压值；所述直流电源转换模块用于根据所述信号放大模块输入的放大后的所述温度对应的电压值，向所述半导体致冷器模块输出控制电压，以使所述半导体致冷器模块调节温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王朝军，
申请(专利权)人：深圳联品激光技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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